3 inch High ịdị ọcha (Edobeghi) Silicon Carbide Wafers Semi-Insulating Sic Substrates (HPSl)

3 inch High Purity (Edochiri) Silicon Carbide Wafers Semi-Insulating Sic Substrates (HPSl) Foto egosipụtara

Nkọwa dị mkpirikpi:

3-inch High Purity Semi-Insulating (HPSI) Silicon Carbide (SiC) wafer bụ mkpụrụ nke ọkwa ọkwa adịchaghị mma maka ike dị elu, ugboro dị elu na ngwa optoelectronic. Emepụtara ya na ihe 4H-SiC na-adịghị ọcha, dị elu, wafers ndị a na-egosipụta ọmarịcha ọkụ ọkụ, bandgap sara mbara, yana akụrụngwa mkpuchi ọkara, na-eme ka ha dị mkpa maka mmepe ngwaọrụ dị elu. Site na nguzosi ike n'ezi ihe nhazi na ịdị mma elu, HPSI SiC substrates na-eje ozi dị ka ntọala maka teknụzụ ọgbọ na-abịa na igwe eletriki ike, nkwukọrịta, na ụlọ ọrụ ikuku, na-akwado ihe ọhụrụ n'ofe mpaghara dị iche iche.

Zitere anyị email

Nkọwa ngwaahịa

Mkpado ngwaahịa

Njirimara

1. Njirimara anụ ahụ na ihe owuwu
● Ụdị ihe: Ịdị ọcha dị elu (Edochiri) Silicon Carbide (SiC)
● Dayameta: 3 sentimita (76.2 mm)
● Ọkpụrụkpụ: 0.33-0.5 mm, customizable dabeere na ngwa chọrọ.
● Ọdịdị kristal: 4H-SiC polytype na eriri hexagonal, nke a maara maka njem electron dị elu na nkwụsi ike ọkụ.
●Nhazi:
oStandard: [0001] (C-plane), dabara maka ọtụtụ ngwa ngwa.
Nhọrọ: Gbanyụọ-axis (4° ma ọ bụ 8° tilt) maka mmụba epitaxial nke n'ígwé ngwaọrụ.
● Ọdịda: Mkpokọta ọkpụrụkpụ ọdịiche (TTV) ● Ogo elu:
Akpụchapụrụ ka ọ bụrụ njupụta dị obere (<10/cm² njupụta micropipe). 2. Ngwongwo eletriki ● Resistivity:> 109 ^ 99 Ω·cm, na-echekwa site na mkpochapụ nke ndị dopants na-akpachapụ anya.
● Dielectric Ike: Ịtachi obi dị elu na obere mfu dielectric, dị mma maka ngwa ike dị elu.
● Ọrụ okpomọkụ: 3.5-4.9 W / cm · K, na-eme ka ikpochapụ ọkụ dị irè na ngwaọrụ ndị dị elu.

3. Thermal na Mechanical Njirimara
●Wide Bandgap: 3.26 eV, na-akwado ọrụ n'okpuru elu voltaji, elu okpomọkụ, na elu radieshon ọnọdụ.
● Ike siri ike: Mohs scale 9, na-eme ka ọ sie ike megide ihe eji arụ ọrụ n'oge nhazi.
●Mgbasawanye ọkụ ọkụ: 4.2 × 10−6 / K4.2 \ ugboro 10 ^ {-6} / \ ederede {K} 4.2 × 10−6 / K, na-eme ka nkwụsi ike akụkụ n'okpuru mgbanwe okpomọkụ.

Oke	Ọkwa mmepụta	Ọkwa nyocha	Ngụsị akwụkwọ	Nkeji
Ọkwa	Ọkwa mmepụta	Ọkwa nyocha	Ngụsị akwụkwọ
Dayameta	76.2 ± 0,5	76.2 ± 0,5	76.2 ± 0,5	mm
Ọkpụrụkpụ	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Usoro Wafer	On-axis: <0001> ± 0.5°	On-axis: <0001> ± 2.0°	On-axis: <0001> ± 2.0°	ogo
Njupụta Micropipe (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm-2^-2-2
Eletriki Resistivity	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopant	Edochiri	Edochiri	Edochiri
Nhazi Flat nke izizi	{1-100} ± 5.0°	{1-100} ± 5.0°	{1-100} ± 5.0°	ogo
Ogologo Flat nke izizi	32.5 ± 3.0	32.5 ± 3.0	32.5 ± 3.0	mm
Ogologo Flat nke abụọ	18.0 ± 2.0	18.0 ± 2.0	18.0 ± 2.0	mm
Nhazi Flat nke abụọ	90° CW site na larịị ± 5.0°	90° CW site na larịị ± 5.0°	90° CW site na larịị ± 5.0°	ogo
Mwepu ihu	3	3	3	mm
LTV/TTV/Ụta/Warp	3 / 10 / ± 30 / 40	3 / 10 / ± 30 / 40	5 / 15 / ± 40 / 45	µm
Ọdịdị dị n'elu	Si-ihu: CMP, C-ihu: Achachapụrụ	Si-ihu: CMP, C-ihu: Achachapụrụ	Si-ihu: CMP, C-ihu: Achachapụrụ
Mgbawa (Ìhè dị elu)	Ọ dịghị	Ọ dịghị	Ọ dịghị
Plates Hex (Ìhè dị elu)	Ọ dịghị	Ọ dịghị	Mpaghara mkpokọta 10%	%
Mpaghara Polytype (Ìhè dị elu)	Mpaghara mkpokọta 5%	Mpaghara mkpokọta 20%	Mpaghara mkpokọta 30%	%
Scratches (Ìhè dị elu)	≤ 5 scratches, ngụkọta ogologo ≤ 150	≤ 10 scratches, ngụkọta ogologo ≤ 200	≤ 10 scratches, ngụkọta ogologo ≤ 200	mm
Chipping Edge	Ọ dịghị onye ≥ 0.5 mm obosara/omimi	2 kwere ≤ 1 mm obosara/omimi	5 kwere ≤ 5 mm obosara/omimi	mm
Mmetọ Elu	Ọ dịghị	Ọ dịghị	Ọ dịghị

Ngwa

1. Igwe ọkụ eletrik
Nnukwu bandgap na ikuku ọkụ dị elu nke HPSI SiC substrates na-eme ka ha dị mma maka ngwaọrụ ike na-arụ ọrụ n'ọnọdụ dị oke egwu, dị ka:
● Ngwaọrụ Voltage dị elu: Gụnyere MOSFET, IGBTs, na Schottky Barrier Diodes (SBDs) maka ntụgharị ike dị mma.
●Sistemụ ume ọhụrụ: Dị ka ndị na-atụgharị anyanwụ na ndị na-ahụ maka ikuku ikuku.
● Ụgbọ ala eletrik (EV): A na-eji ya na inverters, chaja, na powertrain usoro iji melite arụmọrụ ma belata nha.

2. Ngwa RF na Microwave
Nnukwu resistivity na mfu dielectric dị ala nke HPSI wafers dị mkpa maka usoro redio-frequency (RF) na ngwa ndakwa nri, gụnyere:
● akụrụngwa nkwukọrịta: Ebe ọdụ maka netwọk 5G na nkwukọrịta satịlaịtị.
●Aerospace na Nchekwa: Sistemụ Rada, antennas-array-array, na ihe ndị na-ahụ maka ụgbọ elu.

3. Optoelectronics
Nghọta na nnukwu bandgap nke 4H-SiC na-enyere aka iji ya na ngwaọrụ optoelectronic, dị ka:
●UV Photodetectors: Maka nlekota gburugburu ebe obibi na nchọpụta ahụike.
● Igwe ọkụ dị elu: Na-akwado usoro ọkụ ọkụ siri ike.
● Laser Diodes: Maka ụlọ ọrụ mmepụta ihe na ngwa ahụike.

4. Nnyocha na mmepe
A na-eji ihe ndị HPSI SiC eme ihe n'ọtụtụ ebe na ụlọ akwụkwọ R&D agụmakwụkwọ na ụlọ ọrụ mmepụta ihe maka inyocha akụrụngwa akụrụngwa na imepụta ngwaọrụ, gụnyere:
●Epitaxial Layer Growth: Ọmụmụ banyere mbelata ntụpọ na njikarịcha oyi akwa.
● Nnyocha ngagharị nke onye na-ebu: Nnyocha nke elektrọn na mbufe oghere n'ime ihe ndị dị oke ọcha.
● Prototyping: mmalite mmalite nke ngwaọrụ ọhụrụ na sekit.

Uru

Ogo kacha elu:
Ịdị ọcha dị elu na njupụta ntụpọ dị ala na-enye ikpo okwu a pụrụ ịdabere na ya maka ngwa dị elu.

Nkwụsi ike okpomọkụ:
Ngwongwo ikpo ọkụ dị mma na-enye ohere ka ngwaọrụ rụọ ọrụ nke ọma n'okpuru ike dị elu na ọnọdụ okpomọkụ.

Ndakọrịta sara mbara:
Ntuzi aka dị na nhọrọ nha nha omenala na-eme ka mgbanwe maka ngwaọrụ dị iche iche chọrọ.

Ọdịgidere
Isi ike pụrụiche na nkwụsi ike nhazi na-ebelata iyi na nrụrụ n'oge nhazi na arụ ọrụ.

Ntughari:
Kwesịrị ekwesị maka ụlọ ọrụ dịgasị iche iche, site na ume ọhụrụ ruo ikuku ikuku na nzikọrịta ozi.

Mmechi

Silicon Carbide wafer nke 3-inch High Purity Semi-Insulating Silicon Carbide wafer na-anọchite anya teknụzụ mkpụrụ maka ike dị elu, ugboro dị elu na ngwa optoelectronic. Ngwakọta ya nke ezigbo thermal, eletriki, na nrụ ọrụ na-eme ka arụmọrụ a pụrụ ịdabere na ya na gburugburu ebe siri ike. Site na ngwa eletrọnịkị ike na sistemu RF ruo optoelectronics na R&D dị elu, ihe ndị HPSI ndị a na-enye ntọala maka ihe ọhụrụ echi.
Maka ozi ndị ọzọ ma ọ bụ ịtụ, biko kpọtụrụ anyị. Ndị otu teknụzụ anyị dị iji nye nduzi na nhọrọ nhazi ahaziri maka mkpa gị.