English

SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (High ịdị ọcha Semi-Insulating) 4H/6H-P 3C -n ụdị 2 3 4 6 8inch dị

SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (Elu ịdị ọcha Semi-Insulating) 4H/6H-P 3C -n ụdị 2 3 4 6 8inch dị egosipụtara onyogho
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (High ịdị ọcha Semi-Insulating) 4H/6H-P 3C -n ụdị 2 3 4 6 8inch dị
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (High ịdị ọcha Semi-Insulating) 4H/6H-P 3C -n ụdị 2 3 4 6 8inch dị
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (High ịdị ọcha Semi-Insulating) 4H/6H-P 3C -n ụdị 2 3 4 6 8inch dị
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (High ịdị ọcha Semi-Insulating) 4H/6H-P 3C -n ụdị 2 3 4 6 8inch dị
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (High ịdị ọcha Semi-Insulating) 4H/6H-P 3C -n ụdị 2 3 4 6 8inch dị
  • SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (High ịdị ọcha Semi-Insulating) 4H/6H-P 3C -n ụdị 2 3 4 6 8inch dị

Nkọwa dị mkpirikpi:

Anyị na-enye nhọrọ dị iche iche nke SiC (Silicon Carbide) wafers dị elu, na-elekwasị anya na N-ụdị 4H-N na 6H-N wafers, nke dị mma maka ngwa na optoelectronics dị elu, ngwaọrụ ike, na gburugburu okpomọkụ dị elu. . A maara ụdị wafers ụdị N ndị a maka nrụpụta ọkụ ha pụrụ iche, nkwụsi ike eletriki pụtara ìhè, na ịdịte aka dị ịrịba ama, na-eme ka ha zuo oke maka ngwa dị elu dị ka ngwa elektrọnik, sistemu ụgbọ ala eletrik, ndị na-atụgharị ume ọhụrụ, na akụrụngwa ike ụlọ ọrụ. Na mgbakwunye na onyinye N-ụdị anyị, anyị na-enyekwa P-ụdị 4H/6H-P na 3C SiC wafers maka mkpa pụrụ iche, gụnyere nnukwu ugboro na ngwaọrụ RF, yana ngwa fotonic. Anyị wafers dị na nha sitere na 2 sentimita asatọ ruo 8 sentimita asatọ, anyị na-enye ngwọta ahaziri iche iji gboo ihe a chọrọ nke ụlọ ọrụ mmepụta ihe dị iche iche. Maka nkọwa ndị ọzọ ma ọ bụ ajụjụ, biko nweere onwe gị ịkpọtụrụ anyị.


Nkọwa ngwaahịa

Mkpado ngwaahịa

Njirimara

4H-N na 6H-N (ụdị SiC Wafers)

Ngwa:Ejiri ya na ngwa eletrọnịkị ike, optoelectronics, na ngwa okpomọkụ dị elu.

Oke dayameta:50.8 mm na 200 mm.

Ọkpụrụkpụ:350 μm ± 25 μm, na nhọrọ ọkpụrụkpụ nke 500 μm ± 25 μm.

Nguzogide:N-ụdị 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-ọkwa), ≤ 0.3 Ω · cm (P-ọkwa); N-ụdị 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (Z-ọkwa), ≤ 1 mΩ·cm (P-ọkwa).

Isi ike:Ra ≤ 0.2 nm (CMP ma ọ bụ MP).

Njupụta Micropipe (MPD):<1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm maka dayameta niile.

Warp: ≤ 30 μm (≤ 45 μm maka 8-inch wafers).

Mwepu ihu:3 mm ruo 6 mm dabere na ụdị wafer.

Nkwakọ ngwaahịa:Multi-wafer cassette ma ọ bụ otu akpa wafer.

Ohter dị nha 3inch 4inch 6inch 8inch

HPSI (SiC Wafers dị ọcha nke ukwuu)

Ngwa:Ejiri ya maka ngwaọrụ chọrọ nguzogide dị elu yana arụmọrụ kwụsiri ike, dị ka ngwaọrụ RF, ngwa fotonic na sensọ.

Oke dayameta:50.8 mm na 200 mm.

Ọkpụrụkpụ:Standard ọkpụrụkpụ nke 350 μm ± 25 μm na nhọrọ maka thicker wafers ruo 500 μm.

Isi ike:Ra ≤ 0.2 nm.

Njupụta Micropipe (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Nguzogide:Nguzogide dị elu, nke a na-ejikarị na ngwa mkpuchi ọkara.

Warp: ≤ 30 μm (maka obere nha), ≤ 45 μm maka dayameta buru ibu.

TTV: ≤ 10 μm.

Ohter dị nha 3inch 4inch 6inch 8inch

4H-P,6H-P&3C SiC wafer(SiC Wafers ụdị P)

Ngwa:N'ụzọ bụ isi maka ike na ngwaọrụ dị elu.

Oke dayameta:50.8 mm na 200 mm.

Ọkpụrụkpụ:350 μm ± 25 μm ma ọ bụ ahaziri nhọrọ.

Nguzogide:Ụdị P-4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-ọkwa), ≤ 0.3 Ω·cm (P-ọkwa).

Isi ike:Ra ≤ 0.2 nm (CMP ma ọ bụ MP).

Njupụta Micropipe (MPD):<1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Mwepu ihu:3 mm ruo 6 mm.

Warp: ≤ 30 μm maka obere nha, ≤ 45 μm maka nha buru ibu.

Ohter dị nha 3inch 4inch 6inch5×5 10×10

Tebụl Ntụle Data akụkụ

Ngwongwo

2 inch

3 anụ ọhịa

4 anụ ọhịa

6 anụ ọhịa

8 anụ ọhịa

Ụdị

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Dayameta

50.8 ± 0.3 mm

76.2 ± 0.3mm

100± 0.3mm

150± 0.3mm

200 ± 0.3 mm

Ọkpụrụkpụ

330 ± 25 um

350 ± 25 um

350 ± 25 um

350 ± 25 um

350 ± 25 um

350± 25um;

500± 25um

500± 25um

500± 25um

500± 25um

ma ọ bụ ahaziri

ma ọ bụ ahaziri

ma ọ bụ ahaziri

ma ọ bụ ahaziri

ma ọ bụ ahaziri

Isi ike

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Warp

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Scratch/gwuo

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Ụdị

Gburugburu, Flat 16mm;OF ogologo 22mm; Nke Ogologo 30 / 32.5mm; Nke Ogologo 47.5mm; ỌZỌ; ỌZỌ;

Bevel

45°, SEMI Spec; Ụdị C

 Ọkwa

Ọkwa mmepụta maka MOS&SBD; Nchọpụta ọkwa ; Nzuzu grade ,Mkpụrụ wafer ọkwa

Okwu

Dayameta, ọkpụrụkpụ, nghazi, nkọwa dị n'elu nwere ike ịhazi ya na arịrịọ gị

 

Ngwa

·Igwe ọkụ eletrik

N ụdị SiC wafers dị oke mkpa na ngwaọrụ eletrọnịkị ike n'ihi ikike ha nwere ijikwa voltaji dị elu na ugbu a dị elu. A na-ejikarị ha eme ihe na ndị na-agbanwe ike, ndị ntụgharị, na moto draịva maka ụlọ ọrụ dị ka ume ọhụrụ, ụgbọ ala eletrik, na akpaaka ụlọ ọrụ.

· Optoelectronics
N ụdị SiC ihe, karịsịa maka ngwa optoelectronic, na-arụ ọrụ na ngwaọrụ ndị dị ka ìhè-emitting diodes (LEDs) na laser diodes. Igwe ọkụ ha dị elu na bandgap sara mbara na-eme ka ha dị mma maka ngwaọrụ optoelectronic na-arụ ọrụ dị elu.

·Ngwa dị oke ọkụ
4H-N 6H-N SiC wafers dị mma maka gburugburu okpomọkụ dị elu, dị ka sensọ na ngwaọrụ ike eji eme ihe na mbara igwe, ụgbọ ala, na ngwa mmepụta ihe ebe ikpo ọkụ na nkwụsi ike na okpomọkụ dị elu dị oke egwu.

·Ngwa RF
A na-eji 4H-N 6H-N SiC wafers na ngwaọrụ ugboro redio (RF) na-arụ ọrụ n'ogo dị elu. A na-etinye ha na sistemụ nkwukọrịta, teknụzụ radar, na nkwukọrịta satịlaịtị, ebe achọrọ ike dị elu na arụmọrụ.

·Ngwa Photonic
Na fotonics, a na-eji wafer SiC maka ngwaọrụ dị ka fotodetectors na modulators. Ngwongwo pụrụ iche nke ihe ahụ na-enye ya ohere ịdị irè n'ọgbọ ọkụ, mgbanwe, na nchọpụta n'ime usoro nkwurịta okwu anya na ngwaọrụ onyonyo.

·Ihe mmetụta
A na-eji wafer SiC n'ụdị ngwa ihe mmetụta dị iche iche, ọkachasị na gburugburu ebe siri ike ebe ihe ndị ọzọ nwere ike daa. Ndị a gụnyere okpomọkụ, nrụgide, na ihe mmetụta kemịkalụ, nke dị mkpa na mpaghara dị ka ụgbọ ala, mmanụ & gas, na nlekota gburugburu ebe obibi.

·Sistemụ ịnya ụgbọ ala eletrik
Teknụzụ SiC na-arụ ọrụ dị mkpa na ụgbọ ala eletrik site na imeziwanye arụmọrụ na arụmọrụ nke sistemu mbanye. Site na semiconductors ike SiC, ụgbọ ala eletrik nwere ike nweta ndụ batrị ka mma, oge nchaji ngwa ngwa, yana ịrụ ọrụ ike ka ukwuu.

·Ihe mmetụta dị elu na ndị ntụgharị fotonic
Na teknụzụ sensọ dị elu, a na-eji wafer SiC maka ịmepụta ihe mmetụta dị elu maka ngwa na robotics, ngwaọrụ ahụike na nlekota gburugburu ebe obibi. N'ime ndị ntụgharị foto, a na-erigbu akụrụngwa SiC iji mee ka ntụgharị ọkụ eletrik rụọ ọrụ nke ọma ka ọ bụrụ akara ngosi, nke dị mkpa na nkwukọrịta na akụrụngwa ịntanetị dị elu.

Ajụjụ & A

Q： Kedu ihe bụ 4H na 4H SiC?
A："4H" na 4H SiC na-ezo aka n'ụdị kristal silicon carbide, kpọmkwem ụdị hexagonal nwere akwa anọ (H). "H" na-egosi ụdị polytype hexagonal, na-akọwapụta ya na ụdị SiC ndị ọzọ dị ka 6H ma ọ bụ 3C.

Q: Gịnị bụ thermal conductivity nke 4H-SiC?
A: The thermal conductivity nke 4H-SiC (Silicon Carbide) bụ mkpokọta 490-500 W / m · K na ụlọ okpomọkụ. Igwe ọkụ ọkụ a dị elu na-eme ka ọ dị mma maka ngwa eletriki eletrik na gburugburu ebe okpomọkụ dị elu, ebe ikpo ọkụ dị mma dị oké mkpa.

  • Nke gara aga:
  • Osote:
    • Dee ozi gị ebe a ziga anyị ya

    Ụdị ngwaahịa

    Pịa tinye ka ịchọọ ma ọ bụ ESC mechie