Wafer SiC nke dị sentimita 4, 6H Semi-insulating SiC Substrates dị elu, nyocha, na ọkwa nzuzu
Nkọwapụta Ngwaahịa
| Ọkwa | Ọkwa Mmepụta MPD efu (Ọkwa Z) | Ọkwa Mmepụta Ọkọlọtọ (Ọkwa P) | Akara D (Ọkwa D) | ||||||||
| Dayameta | 99.5 mm~100.0 mm | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | |||||||||
| Nhazi Wafer |
N'akụkụ : 4.0° gaa < 1120 > ±0.5° maka 4H-N, N'akụkụ : <0001>±0.5° maka 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Nhazi Ala Dị Elu nke Mbụ | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| Ogologo Dị larịị nke Mbụ | 32.5 mm±2.0 mm | ||||||||||
| Ogologo Dị larịị nke Abụọ | 18.0 mm±2.0 mm | ||||||||||
| Nhazi nke Abụọ nke Dị larịị | Ihu silicon dị elu: 90° CW. site na Prime flat ±5.0° | ||||||||||
| Mwepu nke Ọnụọgụ | 3 mm | ||||||||||
| LTV/TTV/Bọọlụ/Mgbawa | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| Isi ike | Ihu C | Ndị Poland | Ra≤1 nm | ||||||||
| Ihu Si | CMP | Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||||||
| Mgbawa Ọkụ Site na Ọkụ Ike Dị Elu | Ọ dịghị | Ogologo mkpokọta ≤ 10 mm, otu ogologo ≤2 mm | |||||||||
| Efere Hex Site na Ìhè Dị Ike | Mpaghara mkpokọta ≤0.05% | Mpaghara mkpokọta ≤0.1% | |||||||||
| Ebe Polytype Site na Ọkụ Dị Ike | Ọ dịghị | Mpaghara mkpokọta≤3% | |||||||||
| Ihe Ndị A Na-ahụ Anya Banyere Carbon | Mpaghara mkpokọta ≤0.05% | Mpaghara mkpokọta ≤3% | |||||||||
| Ọkpụkpọ Elu Silikọn Site na Ìhè Dị Ike | Ọ dịghị | Ogologo mkpokọta ≤1*dayameta wafer | |||||||||
| Ibe Ọkụ Dị Elu Site na Ìhè Ike | Ọ dịghị ihe e kwere ka ≥0.2 mm obosara na omimi | 5 e kwere, ≤1 mm nke ọ bụla | |||||||||
| Mmetọ Elu Silikọn Site na Ike Dị Elu | Ọ dịghị | ||||||||||
| Nkwakọ ngwaahịa | Kaseti nwere ọtụtụ wafer ma ọ bụ otu wafer akpa | ||||||||||
Ihe osise zuru ezu
Ngwaahịa Ndị Yiri Ya
Dee ozi gị ebe a zitere anyị ya






