SIC substrate silicon carbide 12 inch praịm ọkwa dayameta 300mm nnukwu nha 4H-N Dabara adaba maka mgbasa ọkụ ngwaọrụ ike dị elu
Njirimara ngwaahịa
1. Oke ike okpomọkụ: ike okpomọkụ nke silicon carbide karịrị okpukpu atọ karịa silicon, nke dabara adaba maka ike ọkụ nke ngwaọrụ ike dị elu.
2. Ike dị elu nke ubi mgbawa: Ike nke ubi mgbawa ahụ dị okpukpu iri nke silicon, nke dabara adaba maka ojiji nrụgide dị elu.
3. Oghere sara mbara: Oghere band ahụ bụ 3.26eV (4H-SiC), nke dabara adaba maka oke okpomọkụ na ngwa ugboro ugboro dị elu.
4. Ike siri ike dị elu: Ike siri ike nke Mohs bụ 9.2, nke abụọ karịa diamond, ezigbo ike iyi na ike igwe.
5. Nkwụsi ike kemịkalụ: iguzogide nchara siri ike, arụmọrụ kwụsiri ike na oke okpomọkụ na gburugburu ebe siri ike.
6. Nnukwu nha: ihe dị sentimita iri na abụọ (300mm), melite arụmọrụ mmepụta, belata ọnụ ahịa otu.
7. Njupụta ntụpọ dị ala: teknụzụ uto kristal dị elu iji hụ na njupụta ntụpọ dị ala na ịdịgide dị elu.
Ntuziaka ngwa ngwa bụ isi ngwaahịa
1. Ngwa eletrọniki ike:
Mosfet: A na-eji ya eme ihe n'ụgbọala eletriki, draịva moto ụlọ ọrụ mmepụta ihe na ihe mgbanwe ike.
Diọdị: dịka Schottky diodes (SBD), nke e ji eme nhazi na ịgbanwe ọkụ eletrik nke ọma.
2. Ngwaọrụ Rf:
Ngwa olu ike Rf: eji ya na ọdụ nkwukọrịta 5G na nkwukọrịta satịlaịtị.
Ngwa igwe eji esi nri: Ọ dabara adaba maka sistemụ nkwukọrịta radar na ikuku.
3. Ụgbọala ike ọhụrụ:
Sistemụ draịva eletriki: ndị na-achịkwa moto na ndị na-agbanwe agbanwe maka ụgbọala eletrik.
Okpokoro nchaji: Modulu ike maka ngwa nchaji ngwa ngwa.
4. Ngwa ụlọ ọrụ mmepụta ihe:
Onye na-agbanwe voltaji dị elu: maka njikwa moto ụlọ ọrụ mmepụta ihe na njikwa ike.
Grid smart: Maka transformers eletrik na nnyefe HVDC.
5. Ụgbọelu:
Ngwa eletrọniki dị elu: dabara adaba maka gburugburu okpomọkụ dị elu nke akụrụngwa ikuku.
6. Ngalaba nyocha:
Nnyocha nke semiconductor sara mbara: maka mmepe nke ihe na ngwaọrụ semiconductor ọhụrụ.
Ihe mkpuchi silicon carbide nke dị sentimita iri na abụọ bụ ụdị ihe nchekwa semiconductor dị elu nke nwere ihe ndị dị mma dịka ike okpomọkụ dị elu, ike mgbawa dị elu na oghere band sara mbara. A na-ejikarị ya eme ihe n'igwe eletriki ike, ngwaọrụ redio, ụgbọ ala ike ọhụrụ, njikwa ụlọ ọrụ mmepụta ihe na ikuku, ọ bụkwa ihe dị mkpa iji kwalite mmepe nke ọgbọ ọzọ nke ngwaọrụ eletrọnịkị dị irè ma dị elu.
Ọ bụ ezie na ihe ndị e ji silicon carbide mee nwere obere ojiji kpọmkwem na ngwa eletrọniki ndị ahịa dịka iko AR, ikike ha nwere n'ịhazi ike dị irè na obere ngwa eletrọniki nwere ike ịkwado ngwọta ọkụ eletrik dị mfe, nke dị elu maka ngwaọrụ AR/VR n'ọdịnihu. Ugbu a, mmepe bụ isi nke ihe ndị e ji silicon carbide mee bụ itinye uche na ngalaba ụlọ ọrụ mmepụta ihe dịka ụgbọ ala ike ọhụrụ, akụrụngwa nkwukọrịta na akpaaka ụlọ ọrụ mmepụta ihe, ma na-akwalite ụlọ ọrụ semiconductor ka ọ too n'ụzọ dị irè na nke a pụrụ ịtụkwasị obi.
XKH na-agba mbọ inye ihe ndị dị elu dị elu nke nwere nkwado teknụzụ na ọrụ zuru oke, gụnyere:
1. Emepụtara mmepụta: Dịka mkpa ndị ahịa si dị, ọ dị mkpa inye ihe dị iche iche na-eguzogide nrụgide, nhazi kristal na ihe ndị dị n'elu ọgwụgwọ.
2. Nhazi usoro: Nye ndị ahịa nkwado teknụzụ nke uto epitaxial, mmepụta ngwaọrụ na usoro ndị ọzọ iji melite arụmọrụ ngwaahịa.
3. Nnwale na asambodo: Nye nchọpụta ntụpọ siri ike na asambodo ịdị mma iji hụ na ihe mejupụtara ya na-emezu ụkpụrụ ụlọ ọrụ.
4. Mmekọrịta R&D: Ha na ndị ahịa ha rụkọọ ọrụ iji kwalite ihe ọhụrụ na teknụzụ.
Chaatị data
| Nkọwapụta Ihe Ndabere Silicon Carbide (SiC) nke 1 inch 2 | |||||
| Ọkwa | Mmepụta ZeroMPD Ọkwa (Ọkwa Z) | Mmepụta ọkọlọtọ Klas (Ọkwa P) | Akara Dọmị (Ọkwa D) | ||
| Dayameta | 30 0 mm~305mm | ||||
| Ọkpụrụkpụ | 4H-N | 750μm±15 μm | 750μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 750μm±15 μm | 750μm±25 μm | |||
| Nhazi Wafer | N'akụkụ axis: 4.0° gaa <1120 >±0.5° maka 4H-N, N'akụkụ axis: <0001>±0.5° maka 4H-SI | ||||
| Njupụta nke paịpụ micropipe | 4H-N | ≤0.4cm-2 | ≤4cm-2 | ≤25cm-2 | |
| 4H-SI | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ≤25cm-2 | ||
| Nguzogide | 4H-N | 0.015~0.024 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| Nhazi Ala Dị Elu nke Mbụ | {10-10} ±5.0° | ||||
| Ogologo Dị larịị nke Mbụ | 4H-N | Enweghị | |||
| 4H-SI | Ọkpụkpọ | ||||
| Mwepu nke Ọnụọgụ | 3 mm | ||||
| LTV/TTV/Bọọlụ/Mgbawa | ≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm | ≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm | |||
| Isi ike | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Mgbawa Ọkụ Site na Ọkụ Ike Dị Elu Efere Hex Site na Ìhè Dị Ike Ebe Polytype Site na Ọkụ Dị Ike Ihe Ndị A Na-ahụ Anya Banyere Carbon Ọkpụkpọ Elu Silikọn Site na Ìhè Dị Ike | Ọ dịghị Mpaghara mkpokọta ≤0.05% Ọ dịghị Mpaghara mkpokọta ≤0.05% Ọ dịghị | Ogologo mkpokọta ≤ 20 mm, otu ogologo ≤ 2 mm Mpaghara mkpokọta ≤0.1% Mpaghara mkpokọta≤3% Mpaghara mkpokọta ≤3% Ogologo mkpokọta ≤ 1 × dayameta wafer | |||
| Iberibe Edge site na High Intensity Light | Ọ dịghị nke a nabatara ≥0.2mm obosara na omimi | 7 enyere ikike, ≤1 mm nke ọ bụla | |||
| (TSD) Mwepụ nke skru eriri | ≤500 cm-2 | Enweghị | |||
| Nkwụsị nke ọdụ elu (BPD) | ≤1000 cm-2 | Enweghị | |||
| Mmetọ Elu Silikọn Site na Ìhè Dị Ike | Ọ dịghị | ||||
| Nkwakọ ngwaahịa | Kaseti nwere ọtụtụ wafer ma ọ bụ otu wafer akpa | ||||
| Ihe ndị e dere: | |||||
| 1 Oke ntụpọ dị na elu wafer dum ma e wezụga mpaghara mwepụ nke nsọtụ. 2A ga-enyocha ihe ndị ahụ n'ihu Si naanị. 3 Data mwepụ ahụ sitere na naanị wafers e tinyere na KOH. | |||||
XKH ga-anọgide na-etinye ego na nyocha na mmepe iji kwalite ọganihu nke ihe ndị dị na silicon carbide nke dị sentimita iri na abụọ n'ogo buru ibu, obere ntụpọ na ịdị n'otu dị elu, ebe XKH na-enyocha ngwa ya na mpaghara ndị na-apụta ìhè dịka ngwa eletrọniki ndị ahịa (dịka modulu ike maka ngwaọrụ AR/VR) na kọmputa quantum. Site na ibelata ọnụ ahịa na ịbawanye ikike, XKH ga-eweta ọganihu na ụlọ ọrụ semiconductor.
Ihe osise zuru ezu









