Ngwa Wafer Thinking maka nhazi Wafer Sapphire/SiC/Si nke dị sentimita 4-12

1. Nkwakọ ngwaahịa dị elu
• 3D ICs: Mkpụcha Wafer na-eme ka e nwee ike itinye ihe ndị dị n'ime ya n'usoro (dịka ọmụmaatụ, HBM stacks), na-enweta bandwidth dị elu nke 10× na mbelata oriri ike nke 50% ma e jiri ya tụnyere ngwọta 2.5D. Ngwaọrụ a na-akwado njikọ ngwakọ na njikọta TSV (Through-Silicon Via), nke dị oke mkpa maka ndị nhazi AI/ML nke chọrọ njikọ <10 μm. Dịka ọmụmaatụ, wafers dị sentimita iri na abụọ nke dị sentimita iri na abụọ nke dị sentimita iri na abụọ nke dị sentimita iri na ise na-enye ohere ka e tinye ihe karịrị oyi akwa 8 ma na-ejigide <1.5% warpage, nke dị mkpa maka sistemụ LiDAR ụgbọala.

• Nkwakọba Fan-Out: Site na ibelata ọkpụrụkpụ wafer ruo 30 μm, a na-ebelata ogologo njikọ site na 50%, na-ebelata igbu oge mgbaàmà (<0.2 ps/mm) ma na-enye ohere ka chiplets 0.4 mm dị gịrịgịrị maka SoCs mkpanaka. Usoro a na-eji algọridim egweri nrụgide akwụgoro iji gbochie warpage (>50 μm njikwa TTV), na-ahụ na a pụrụ ịtụkwasị obi na ngwa RF ugboro ugboro dị elu.

2. Elektrọniki Ike
• Modulu IGBT: Ịbelata ruo 50 μm na-ebelata iguzogide okpomọkụ ruo <0.5°C/W, na-eme ka 1200V SiC MOSFETs rụọ ọrụ na okpomọkụ njikọ 200°C. Ngwaọrụ anyị na-eji igwe egweri ọtụtụ ogbo (nkọwa: 46 μm grit → fine: 4 μm grit) iji wepụ mmebi dị n'okpuru ala, na-enweta ihe karịrị okirikiri 10,000 nke ntụkwasị obi nke ịgbagharị okpomọkụ. Nke a dị oke mkpa maka inverters EV, ebe wafer SiC dị 10 μm dị arọ na-eme ka ọsọ mgbanwe dịkwuo mma site na 30%.
• Ngwaọrụ Ike GaN-on-SiC: Mbelata Wafer ruo 80 μm na-eme ka ngagharị elektrọn (μ > 2000 cm²/V·s) maka 650V GaN HEMTs, na-ebelata mfu conduction site na 18%. Usoro a na-eji dicing enyere laser aka igbochi mgbawa n'oge ịcha, na-enweta ihe na-erughị 5 μm chipping edge maka amplifiers ike RF.

3. Optoelectronics​
• Ọkụ LED GaN-on-SiC: ihe ndị dị na sapphire 50 μm na-eme ka arụmọrụ mwepụta ìhè (LEE) dịkwuo elu ruo 85% (ma e jiri ya tụnyere 65% maka wafers 150 μm) site n'ibelata njide foton. Njikwa TTV dị ala nke akụrụngwa anyị (<0.3 μm) na-eme ka mwepụta LED dị otu n'ofe wafers 12-inch, nke dị mkpa maka ngosipụta Micro-LED nke chọrọ ka <100nm dịrị n'otu.
• Silicon Photonics: Wafer silicon dị 25μm dị arọ na-eme ka mfu mgbasa 3 dB/cm dị ala na waveguides, nke dị mkpa maka transceivers optical 1.6 Tbps. Usoro a na-ejikọta CMP smoothing iji belata iru unyi elu ruo Ra <0.1 nm, na-eme ka arụmọrụ njikọ dịkwuo mma site na 40%.

4. Ihe mmetụta MEMS
• Ngwa ngwa: Wafer silicon 25 μm na-enweta SNR >85 dB (vs. 75 dB maka wafer 50 μm) site na ịbawanye mmetụta nke mwepụ ihe mgbochi. Sistemụ igwe anyị na-egweri axis abụọ na-akwụghachi ụgwọ maka mgbanwe nrụgide, na-eme ka <0.5% mmetụta na-agafe karịa -40°C ruo 125°C. Ngwa ndị a gụnyere nchọpụta ihe mberede ụgbọala na nsochi ngagharị AR/VR.

• Ihe Mmetụta Nrụgide: Ịbelata ruo 40 μm na-eme ka nha mmanya 0–300 dị iche iche, yana <0.1% FS hysteresis. Site na iji njikọ nwa oge (ihe ndị na-ebu iko), usoro a na-ezere mgbawa wafer n'oge a na-akpụ ihe n'azụ, na-enweta nnabata nrụgide <1 μm maka ihe mmetụta IoT ụlọ ọrụ mmepụta ihe.

• Njikọta Teknụzụ: Ngwa anyị na-eme ka wafer dị nro na-ejikọta igwe eji akwọ ihe, CMP, na plasma iji dozie nsogbu dị iche iche nke ihe (Si, SiC, Sapphire). Dịka ọmụmaatụ, GaN-on-SiC chọrọ igwe eji agwakọta (wheel diamond + plasma) iji kwado ike na mgbasawanye okpomọkụ, ebe sensọ MEMS chọrọ ka elu dị n'okpuru 5 nm site na iji CMP polishing.

• Mmetụta Ụlọ Ọrụ: Site n'itinye wafers dị gịrịgịrị ma dị elu, teknụzụ a na-akwalite ihe ọhụrụ na chips AI, modulu mmWave 5G, na ngwa eletrọnịkị na-agbanwe agbanwe, yana ntachi obi TTV <0.1 μm maka ngosipụta a na-apịachi apịachi na <0.5 μm maka sensọ LiDAR ụgbọala.