English

Ụdị N SiC Mkpụrụ Substrate Dia153/155mm Maka Elektrọniki Ike

Mkpụrụ Mkpụrụ SiC nke Ụdị N nke Omenala Dia153/155mm Maka Eletrọniki Ike Foto a na-egosipụta
  • Ụdị N SiC Mkpụrụ Substrate Dia153/155mm Maka Elektrọniki Ike
  • Ụdị N SiC Mkpụrụ Substrate Dia153/155mm Maka Elektrọniki Ike
  • Ụdị N SiC Mkpụrụ Substrate Dia153/155mm Maka Elektrọniki Ike

Nkọwa Dị Mkpirikpi:

Mkpụrụ Silicon Carbide (SiC) na-eje ozi dị ka ihe ndabere maka semiconductors ọgbọ nke atọ, nke a na-amata site na oke okpomọkụ ha dị elu, ike ọkụ eletrik na-emebi emebi nke ọma, na nnukwu mmegharị elektrọn. Njirimara ndị a na-eme ka ha dị mkpa maka elektrọnik ike, ngwaọrụ RF, ụgbọ ala eletrik (EVs), na ngwa ike mmeghari ohuru. XKH bụ ọkachamara na nyocha na mmepụta nke mkpụrụ SiC dị elu, na-eji usoro uto kristal dị elu dị ka Njem Vapor (PVT) na Nwepu Vapor Chemical dị elu (HTCVD) iji hụ na mma kristal na-eduga n'ọrụ.

 

 


  • :

    • atụmatụ

    Wafer mkpụrụ SiC 4
    Mkpụrụ wafer SiC 5
    Wafer mkpụrụ SiC 6

    Webata

    Mkpụrụ Silicon Carbide (SiC) na-eje ozi dị ka ihe ndabere maka semiconductors ọgbọ nke atọ, nke a na-amata site na oke okpomọkụ ha dị elu, ike ọkụ eletrik na-emebi emebi nke ọma, na nnukwu mmegharị elektrọn. Njirimara ndị a na-eme ka ha dị mkpa maka elektrọnik ike, ngwaọrụ RF, ụgbọ ala eletrik (EVs), na ngwa ike mmeghari ohuru. XKH bụ ọkachamara na nyocha na mmepụta nke mkpụrụ SiC dị elu, na-eji usoro uto kristal dị elu dị ka Njem Vapor (PVT) na Nwepu Vapor Chemical dị elu (HTCVD) iji hụ na mma kristal na-eduga n'ọrụ.

    XKH na-enye mkpụrụ SiC nke dị sentimita 4, sentimita 6, na sentimita 8, yana ụdị N-type/P a pụrụ ịhazi, na-enweta ọkwa iguzogide nke 0.01-0.1 Ω·cm na njupụta dislocation n'okpuru 500 cm⁻², na-eme ka ha dị mma maka imepụta MOSFETs, Schottky Barrier Diodes (SBDs), na IGBTs. Usoro mmepụta anyị nke jikọtara ọnụ na-ekpuchi uto kristal, ịkpụ wafer, ịchacha, na inyocha, yana ikike mmepụta kwa ọnwa karịrị wafers 5,000 iji mezuo ihe dị iche iche nke ụlọ ọrụ nyocha, ndị na-emepụta semiconductor, na ụlọ ọrụ ike mmeghari ohuru chọrọ.

    Na mgbakwunye, anyị na-enye ngwọta ahaziri ahazi, gụnyere:

    Nhazi nhazi kristal (4H-SiC, 6H-SiC)

    Ngwakọta pụrụ iche (aluminom, nitrogen, boron, wdg).

    Ịchacha ihe dị nro nke ukwuu (Ra < 0.5 nm)

     

    XKH na-akwado nhazi dabere na ihe nlele, ndụmọdụ teknụzụ, na obere nhazi iji nye ngwọta SiC substrate kachasị mma.

    Teknụzụ paramita

    Wafer mkpụrụ silik carbide
    Ụdị Polytype 4H
    Njehie nhazi elu 4° gaa <11-20>±0.5º
    Nguzogide nhazi
    Dayameta 205±0.5mm
    Ọkpụrụkpụ 600±50μm
    Isi ike CMP,Ra≤0.2nm
    Njupụta nke paịpụ micropipe ≤1 ea/cm2
    Akpụkpọ ≤5, Ogologo ya niile ≤2*dayameta
    Mkpọchi/ndọtị nke akụkụ Ọ dịghị
    Akara laser n'ihu Ọ dịghị
    Akpụkpọ ≤2, Ogologo ya niile ≤ Dayameta
    Mkpọchi/ndọtị nke akụkụ Ọ dịghị
    Ebe polytype Ọ dịghị
    Akara laser azụ 1mm (site na nsọtụ elu)
    Akụkụ Chamfer
    Nkwakọ ngwaahịa Kaseti ọtụtụ wafer

    Mkpụrụ SiC - Njirimara Ndị Dị Mkpa

    1. Njirimara Anụ Ahụ Pụrụ Iche

    · Oke ike okpomọkụ (~490 W/m·K), nke karịrị silicon (Si) na gallium arsenide (GaAs) nke ukwuu, nke na-eme ka ọ dị mma maka iji ngwaọrụ dị ike mee ka ọ dị jụụ.

    · Ike nkesa ubi (~3 MV/cm), nke na-eme ka ọrụ kwụsiri ike n'okpuru ọnọdụ voltaji dị elu, dị oke mkpa maka inverters EV na modulu ike ụlọ ọrụ mmepụta ihe.

    · Oghere dị obosara (3.2 eV), na-ebelata mmiri na-agbapụta n'oge okpomọkụ dị elu ma na-eme ka ntụkwasị obi nke ngwaọrụ dịkwuo elu.

    2. Ogo kristal ka mma

    · Teknụzụ PVT + HTCVD nke na-eto ngwakọ na-ebelata ntụpọ obere paịpụ, na-eme ka njupụta nke mkpọpu dị n'okpuru 500 cm⁻².

    · Ụta/mkpụmkpụ Wafer < 10 μm na oke elu Ra < 0.5 nm, na-eme ka o kwekọọ na usoro lithography dị oke mma na usoro ntinye ihe nkiri dị gịrịgịrị.

    3. Nhọrọ Doping dị iche iche

    ·N-ụdị (Nitrogen-doped): Obere iguzogide (0.01-0.02 Ω·cm), nke kachasị mma maka ngwaọrụ RF ugboro ugboro.

    · Ụdị P (Aluminom-doped): Ọ dị mma maka MOSFETs na IGBTs ike, na-eme ka ngagharị nke ndị na-ebu ibu ka mma.

    · SiC nke na-egbochi ihe mgbochi (nke e tinyere na Vanadium): Nguzogide ike > 10⁵ Ω·cm, nke e mere maka modulu 5G RF n'ihu.

    4. Ịkwụsi Ike na Gburugburu Ebe Obibi

    · Nguzogide okpomọkụ dị elu (>1600°C) na ike radieshon, nke dabara adaba maka ikuku, ngwa nuklia, na gburugburu ebe obibi ndị ọzọ dị oke njọ.

    Mkpụrụ SiC - Ngwa Ndị Isi

    1. Elektrọniki Ike

    · Ụgbọala eletriki (EV): A na-eji ya na chaja dị n'ime ụgbọ mmiri (OBC) na inverters iji melite arụmọrụ ma belata mkpa njikwa okpomọkụ.

    · Sistemụ Ike Ụlọ Ọrụ: Na-eme ka inverters fotovoltaic na grid smart dịkwuo mma, na-enweta arụmọrụ mgbanwe ike karịrị 99%.

    2. Ngwaọrụ RF

    · Ọdụ Isi 5G: Ihe ndị e ji SiC kpuchie ọkara na-eme ka amplifiers ike GaN-on-SiC RF na-arụ ọrụ, na-akwado nnyefe mgbaàmà dị elu, nke na-enye ike dị elu.

    Nkwukọrịta Satịlaịtị: Njirimara mbelata dị ala na-eme ka ọ dabara adaba maka ngwaọrụ ebili mmiri milimita.

    3. Nchekwa Ike na Ike Mmeghari ohuru

    · Ike Anyanwụ: SiC MOSFETs na-eme ka arụmọrụ mgbanwe DC-AC dịkwuo mma ma na-ebelata ọnụ ahịa sistemụ.

    · Sistemụ Nchekwa Ike (ESS): Na-eme ka mgbanwe abụọ na-aga n'ihu ma na-agbatị ndụ batrị.

    4. Nchebe na Ụgbọelu

    · Sistemụ Rada: A na-eji ngwaọrụ SiC dị ike na radar AESA (Active Electronically Scanned Array).

    · Njikwa Ike Ụgbọelu: Ihe ndị SiC na-eguzogide radieshon dị oke mkpa maka ọrụ miri emi nke oghere.

    5. Nnyocha na Teknụzụ Na-apụta 

    · Kọmputa Quantum: SiC dị ọcha nke ukwuu na-eme ka nyocha spin qubit dị. 

    · Ihe mmetụta okpomọkụ dị elu: E tinyere ya n'ọrụ nchọpụta mmanụ na nlekota reactor nuklia.

    Mkpụrụ SiC - Ọrụ XKH

    1. Uru nke Ayika Ngwa

    · Mmepụta nke a na-ejikọta ọnụ: Njikwa zuru oke site na ntụ ntụ SiC dị ọcha ruo na wafers emechara, na-eme ka oge ndu dị izu 4-6 maka ngwaahịa ọkọlọtọ.

    · Ịsọ mpi maka ọnụ ahịa: Akụnụba nke nha na-eme ka ọnụ ahịa dị ala karịa ndị asọmpi site na 15-20%, yana nkwado maka Nkwekọrịta Ogologo Oge (LTAs).

    2. Ọrụ Nhazi

    · Nhazi kristal: 4H-SiC (ọkọlọtọ) ma ọ bụ 6H-SiC (ngwa pụrụ iche).

    · Nhazi maka iji doping eme ihe: Njirimara N-ụdị/ụdị P/ọkara-mkpuchi ahaziri ahazi.

    · Ịchacha ihe dị elu: Ịchacha ihe dị ọcha nke CMP na ọgwụgwọ epi-ready surface (Ra < 0.3 nm).

    3. Nkwado teknụzụ 

    · Nnwale ihe nlele n'efu: Gụnyere akụkọ nha mmetụta XRD, AFM, na Hall. 

    · Enyemaka maka ime ihe nlereanya ngwaọrụ: Na-akwado uto epitaxial na nhazi nhazi ngwaọrụ. 

    4. Nzaghachi ọsọ ọsọ 

    · Nhazi dị obere: Opekata mpe nke wafer iri, a ga-ebuga ya n'ime izu atọ. 

    · Njem njem zuru ụwa ọnụ: Mmekọrịta na DHL na FedEx maka nnyefe site n'ọnụ ụzọ ruo n'ọnụ ụzọ. 

    5. Nkwanye Elu Ogo 

    · Nnyocha zuru oke nke usoro: Na-ekpuchi ọdịdị ala X-ray (XRT) na nyocha njupụta ntụpọ. 

    · Asambodo mba ụwa: Na-agbaso ụkpụrụ IATF 16949 (ụgbọala-ọkwa) na AEC-Q101.

    Mmechi

    Mkpụrụ SiC nke XKH dị elu n'ịdị mma kristal, nkwụsi ike nke usoro ọkọnọ, na mgbanwe nhazi, na-eje ozi na ngwa eletrọnịkị ike, nkwukọrịta 5G, ike mmeghari ohuru, na teknụzụ nchekwa. Anyị na-aga n'ihu na-akwalite teknụzụ mmepụta SiC nke inch 8 iji kwalite ụlọ ọrụ semiconductor nke ọgbọ nke atọ.

  • Nke gara aga:
  • Osote:

    • Ngwaahịa Ndị Yiri Ya

    Dee ozi gị ebe a zitere anyị ya
    Pịa "Enter" iji chọọ ma ọ bụ "ESC" iji mechie