6 inch 4H SEMI Type SiC composite substrate ọkpụrụkpụ 500μm TTV≤5μm MOS ọkwa

6 inch 4H SEMI Type SiC composite substrate ọkpụrụkpụ 500μm TTV≤5μm ọkwa MOS Foto a egosipụtara

Nkọwa Dị Mkpirikpi:

Site na ọganihu ngwa ngwa nke nkwukọrịta 5G na teknụzụ radar, ihe mejupụtara SiC nke dị sentimita isii nke ọkara-insulated aghọwo ihe dị mkpa maka imepụta ngwaọrụ ugboro ugboro. Ma e jiri ya tụnyere ihe ndị dị na GaAs ọdịnala, ihe a na-ejigide ike iguzogide okpomọkụ dị elu (>10⁸ Ω·cm) ebe ọ na-emeziwanye ike ikuku site na ihe karịrị ugboro ise, na-edozi nsogbu nke mkpofu okpomọkụ na ngwaọrụ millimeter-ebilite. O yikarịrị ka a na-ewulite ihe ndị na-eme ka ike dị n'ime ngwaọrụ kwa ụbọchị dị ka ekwentị 5G na ọdụ nkwukọrịta satịlaịtị na substrate a. Site na iji teknụzụ "nkwụghachi ụgwọ doping oyi akwa buffer" anyị nwere, anyị ebelatala njupụta micropipe ruo n'okpuru 0.5/cm² ma nweta mfu microwave dị ala nke 0.05 dB/mm.

Zitere anyị ozi-e

atụmatụ

Teknụzụ paramita

ihe	Nkọwapụta	ihe	Nkọwapụta
Dayameta	150±0.2 mm	Ọdịdị ihu (Si-ihu)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)
Ụdị Polytype	4H	Mkpọchi ọnụ, ọkọ, mgbawa (nlele anya)	Ọ dịghị
Nguzogide	≥1E8 Ω·cm	TV	≤5 μm
Ọkpụrụkpụ oyi akwa mbufe	≥0.4 μm	Warp	≤35 μm
Oghere efu (2mm>D>0.5mm)	≤5 otu/wafer	Ọkpụrụkpụ	500±25 μm

Isi Atụmatụ

1. Arụmọrụ Ugboro Dị Elu Pụrụ Iche
Ihe mejupụtara SiC nke dị sentimita isii (6-inch) nwere nhazi oyi akwa dielectric dị elu, na-ahụ na mgbanwe dielectric na-agbanwe agbanwe nke <2% na Ka-band (26.5-40 GHz) na-eme ka nguzozi nke usoro dịkwuo mma site na 40%. 15% na-abawanye arụmọrụ na 20% na-ebelata oriri ike na modulu T/R site na iji substrate a.

2. Njikwa Okpomọkụ Na-arụpụta Ihe
Nhazi pụrụ iche nke "akwa mmiri okpomọkụ" na-eme ka ike okpomọkụ dị n'akụkụ nke 400 W/m·K. Na modulu ọdụ PA nke 28 GHz 5G, okpomọkụ njikọ ahụ na-arị elu naanị 28°C mgbe awa 24 nke ọrụ na-aga n'ihu gasịrị—50°C dị ala karịa ngwọta ọdịnala.

3. Ogo Wafer Kachasị Elu
Site na usoro Njem Nlegharị Anya Ahụ (PVT) kachasị mma, anyị na-enweta njupụta dislocation <500/cm² na Mgbanwe Oke Ọkpụrụkpụ (TTV) <3 μm.
4. Nhazi dị mfe maka mmepụta
Usoro anyị nke na-eme ka laser annealing rụọ ọrụ nke ọma maka ihe mejupụtara SiC nke dị sentimita isii (6-inch semi-insulating substrate) na-ebelata njupụta ọnọdụ elu site na nha abụọ tupu epitaxy.

Ngwa Ndị Isi

1. Isi ihe dị na ọdụ isi 5G
N'ime usoro antenna MIMO dị ukwuu, ngwaọrụ GaN HEMT dị na ihe mejupụtara SiC nke nwere ọkara-insulating nke sentimita isii na-enweta ike mmepụta 200W na arụmọrụ karịrị 65%. Nnwale ubi na 3.5 GHz gosiri mmụba 30% na radius mkpuchi.

2. Sistemụ Nkwukọrịta Satịlaịtị
Ndị na-ebuga satịlaịtị dị ala n'ụwa (LEO) na-eji substrate a na-egosi EIRP dị elu karịa 8 dB na Q-band (40 GHz) ebe ha na-ebelata ibu site na 40%. Ọdụ ụgbọ elu SpaceX Starlink ewerela ya maka mmepụta oke.

3. Sistemụ Rada Ndị Agha
Modulu radar T/R nke usoro nhazi dị na substrate a na-enweta bandwit 6-18 GHz na ụda mkpọtụ dị ala dịka 1.2 dB, na-agbatị oke nchọpụta site na 50 km na sistemụ radar ịdọ aka ná ntị mbụ.

4. Rada ụgbọ ala nke milimita-ebili mmiri
Ibe radar ụgbọala 79 GHz nke na-eji substrate a na-eme ka mkpebi akụkụ dị elu ruo 0.5°, na-emezu ihe achọrọ maka ịkwọ ụgbọala L4 n'onwe ya.

Anyị na-enye ngwọta ọrụ ahaziri ahazi maka ihe mejupụtara SiC nke dị sentimita isii. Maka ịhazi paramita ihe, anyị na-akwado nhazi ziri ezi nke iguzogide n'ime oke nke 10⁶-10¹⁰ Ω·cm. Karịsịa maka ngwa agha, anyị nwere ike inye nhọrọ iguzogide n'ụzọ dị oke elu nke >10⁹ Ω·cm. Ọ na-enye nkọwapụta ọkpụrụkpụ atọ nke 200μm, 350μm na 500μm n'otu oge, yana njikwa nke ọma n'ime ±10μm, na-emezu ihe dị iche iche achọrọ site na ngwaọrụ ugboro ugboro ruo na ngwa ike dị elu.

Maka usoro ọgwụgwọ elu, anyị na-enye ngwọta ọkachamara abụọ: Chemical Mechanical Polishing (CMP) nwere ike iru larịị elu atọm site na iji Ra<0.15nm, na-emezu ihe achọrọ maka uto epitaxial kachasị mkpa; Teknụzụ ọgwụgwọ elu epitaxial dị njikere maka mkpa mmepụta ngwa ngwa nwere ike inye elu dị nro nke ukwuu yana Sq<0.3nm na ọkpụrụkpụ oxide fọdụrụ <1nm, na-eme ka usoro ọgwụgwọ tupu oge eruo dị mfe na njedebe onye ahịa.

XKH na-enye ngwọta ahaziri ahazi zuru oke maka ihe mejupụtara SiC nke nwere ọkara-mkpuchi nke sentimita 6.

1. Nhazi nke ihe onwunwe
Anyị na-enye nhazi nrụgide kpọmkwem n'ime oke nke 10⁶-10¹⁰ Ω·cm, yana nhọrọ nrụgide pụrụ iche nke dị elu karịa 10⁹ Ω·cm dị maka ngwa agha/aerospace.

2. Nkọwapụta Ọkpụrụkpụ
Nhọrọ atọ nke ọkpụrụkpụ ọkọlọtọ:

· 200μm (emebere nke ọma maka ngwaọrụ ndị na-adịkarị elu)

· 350μm (nkọwapụta ọkọlọtọ)

· 500μm (emebere maka ngwa ike dị elu)
· Ụdị dị iche iche niile na-ejigide oke ọkpụrụkpụ nke ±10μm.

3. Teknụzụ Ọgwụgwọ Elu

Nchacha Mechanical Chemical (CMP): Na-enweta larịị elu nke atọm site na iji Ra<0.15nm, na-emezu ihe achọrọ maka uto epitaxial siri ike maka RF na ngwaọrụ ike.

4. Nhazi Elu Epi-Ready

· Na-enye elu dị nro nke ukwuu na oke Sq<0.3nm

· Na-achịkwa ọkpụrụkpụ oxide nke ala ruo <1nm

· Na-ewepụ usoro nhazi atọ tupu oge eruo n'ebe ndị ahịa na-arụ ọrụ