12 Inch SiC substrate Dayameta 300mm Ọkpụrụkpụ 750μm 4H-N Enwere ike ịhazi ụdị ya

Enwere ike ịhazi ụdị SiC nke dị sentimita iri na abụọ Dayameta 300mm Ọkpụrụkpụ 750μm 4H-N. Foto a na-egosipụta

Nkọwa Dị Mkpirikpi:

N'oge dị oke mkpa na mgbanwe ụlọ ọrụ semiconductor na-aga n'ihu na ngwọta dị irè ma dị obere, mpụta nke substrate SiC nke dị sentimita iri na abụọ (substrate silicon carbide nke dị sentimita iri na abụọ) agbanweela ọdịdị ala ahụ nke ọma. Ma e jiri ya tụnyere nkọwapụta ọdịnala nke sentimita isii na sentimita asatọ, uru buru ibu nke substrate nke dị sentimita iri na abụọ na-eme ka ọnụọgụ chips emepụtara kwa wafer karịa okpukpu anọ. Na mgbakwunye, ọnụ ahịa nkeji nke substrate SiC nke dị sentimita iri na abụọ na-ebelata site na 35-40% ma e jiri ya tụnyere substrate nke dị sentimita asatọ, nke dị mkpa maka nnabata zuru oke nke ngwaahịa ikpeazụ.
Site n'iji teknụzụ anyị nwere maka ibuli uzuoku, anyị enwetala njikwa kachasị elu n'ụlọ ọrụ maka njupụta nkewa na kristal dị sentimita iri na abụọ, na-enye ntọala pụrụ iche maka imepụta ngwaọrụ ndị na-esote. Ọganihu a dị oke mkpa n'etiti ụkọ chip zuru ụwa ọnụ ugbu a.

Ngwaọrụ ike dị mkpa n'ọrụ kwa ụbọchị—dịka ọdụ EV na-achaji ngwa ngwa na ọdụ ntọala 5G—na-eji nnukwu substrate a eme ihe nke ukwuu. Karịsịa n'ebe okpomọkụ dị elu, voltaji dị elu, na ebe ọrụ siri ike ndị ọzọ, substrate SiC nke dị sentimita 12 na-egosi nkwụsi ike dị elu karịa ihe ndị e ji silicon mee.

Zitere anyị ozi-e

atụmatụ

Teknụzụ paramita

Nkọwapụta Ihe Ndabere Silicon Carbide (SiC) nke Inch 12
Ọkwa		Mmepụta ZeroMPD Ọkwa (Ọkwa Z)	Mmepụta ọkọlọtọ Klas (Ọkwa P)		Akara Dọmị (Ọkwa D)
Dayameta		30 0 mm~1305mm
Ọkpụrụkpụ	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
Nhazi Wafer		N'akụkụ axis: 4.0° gaa <1120 >±0.5° maka 4H-N, N'akụkụ axis: <0001>±0.5° maka 4H-SI
Njupụta nke paịpụ micropipe	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Nguzogide	4H-N	0.015~0.024 Ω·cm			0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Nhazi Ala Dị Elu nke Mbụ		{10-10} ±5.0°
Ogologo Dị larịị nke Mbụ	4H-N	Enweghị
	4H-SI	Ọkpụkpọ
Mwepu nke Ọnụọgụ		3 mm
LTV/TTV/Bọọlụ/Mgbawa		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Isi ike		Polish Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Mgbawa Ọkụ Site na Ọkụ Ike Dị Elu Efere Hex Site na Ìhè Dị Ike Ebe Polytype Site na Ọkụ Dị Ike Ihe Ndị A Na-ahụ Anya Banyere Carbon Ọkpụkpọ Elu Silikọn Site na Ìhè Dị Ike		Ọ dịghị Mpaghara mkpokọta ≤0.05% Ọ dịghị Mpaghara mkpokọta ≤0.05% Ọ dịghị			Ogologo mkpokọta ≤ 20 mm, otu ogologo ≤ 2 mm Mpaghara mkpokọta ≤0.1% Mpaghara mkpokọta≤3% Mpaghara mkpokọta ≤3% Ogologo mkpokọta ≤ 1 × dayameta wafer
Iberibe Edge site na High Intensity Light		Ọ dịghị nke a nabatara ≥0.2mm obosara na omimi			7 enyere ikike, ≤1 mm nke ọ bụla
(TSD) Mwepụ nke skru eriri		≤500 cm-2		Enweghị
Nkwụsị nke ọdụ elu (BPD)		≤1000 cm-2		Enweghị
Mmetọ Elu Silikọn Site na Ìhè Dị Ike		Ọ dịghị
Nkwakọ ngwaahịa		Kaseti ọtụtụ wafer ma ọ bụ otu wafer akpa
Ihe ndị e dere:
1 Oke ntụpọ dị na elu wafer dum ma e wezụga mpaghara mwepụ nke nsọtụ. 2A ga-enyocha ihe ndị ahụ n'ihu Si naanị. 3 Data mwepụ ahụ sitere na naanị wafers e tinyere na KOH.

Isi Atụmatụ

1. Ike Mmepụta na Uru Ọnụ Ahịa: Mmepụta nke substrate SiC nke dị sentimita iri na abụọ (substrate silicon carbide nke dị sentimita iri na abụọ) bụ oge ọhụrụ na mmepụta semiconductor. Ọnụọgụ chips enwere ike inweta site na otu wafer ruru ugboro 2.25 karịa substrate 8 inch, nke na-ebute mmụba ozugbo na arụmọrụ mmepụta. Nzaghachi ndị ahịa na-egosi na ịnakwere substrate 12 inch ebelatala ọnụ ahịa mmepụta modulu ike ha site na 28%, na-emepụta uru asọmpi dị mkpa n'ahịa a na-ese okwu nke ukwuu.
2. Àgwà Anụ Ahụ Pụrụ Iche: Ihe mkpuchi SiC nke dị sentimita iri na abụọ na-eketa uru niile nke ihe silicon carbide - ike okpomọkụ ya dị okpukpu atọ karịa silicon, ebe ike ubi mgbawa ya ruru ugboro iri karịa silicon. Àgwà ndị a na-eme ka ngwaọrụ dabere na ihe mkpuchi 12 inch rụọ ọrụ nke ọma na gburugburu okpomọkụ dị elu karịa 200°C, na-eme ka ha dabara adaba maka ngwa ndị siri ike dịka ụgbọ ala eletrik.
3. Teknụzụ Ọgwụgwọ Elu: Anyị emepụtala usoro nrụpụta kemịkalụ ọhụrụ (CMP) kpọmkwem maka ihe ndị dị na SiC nke dị sentimita iri na abụọ, na-enweta larịị elu atọm (Ra<0.15nm). Ihe a na-eme na-edozi nsogbu zuru ụwa ọnụ nke ọgwụgwọ elu silicon carbide wafer buru ibu, na-ewepụ ihe mgbochi maka uto epitaxial dị elu.
4. Arụmọrụ Njikwa Okpomọkụ: N'ọrụ bara uru, ihe ndị dị na SiC nke dị sentimita iri na abụọ na-egosi ikike dị egwu nke mwepụ okpomọkụ. Data nnwale na-egosi na n'okpuru otu njupụta ike ahụ, ngwaọrụ ndị na-eji ihe ndị dị na sentimita iri na abụọ na-arụ ọrụ na okpomọkụ dị ala karịa ngwaọrụ ndị dabere na silicon, na-agbatịkwu ndụ ọrụ akụrụngwa nke ukwuu.

Ngwa Ndị Isi

1. Usoro Ụgbọala Ike Ọhụrụ: Ihe mkpuchi SiC nke dị sentimita iri na abụọ (ihe mkpuchi silicon carbide nke dị sentimita iri na abụọ) na-agbanwe usoro nhazi ike ụgbọ ala eletrik. Site na chaja dị n'ime ụgbọ ala (OBC) ruo na inverters draịva isi na sistemụ njikwa batrị, mmezi arụmọrụ nke ihe mkpuchi 12 inch wetara na-eme ka oke ụgbọ ala dịkwuo elu site na 5-8%. Akụkọ sitere n'aka onye nrụpụta ụgbọala na-eduga na-egosi na ịnabata ihe mkpuchi 12 inch anyị belatara mfu ike na sistemụ chaja ngwa ngwa ha site na 62%.
2. Ngalaba Ike Mmeghari ohuru: Na ọdụ ọkụ eletrik fotovoltaic, inverters dabere na substrates SiC nke dị sentimita iri na abụọ abụghị naanị na ha nwere obere ihe ndị na-eme ka ha dị obere kamakwa ha na-enweta arụmọrụ mgbanwe karịrị 99%. Karịsịa na ọnọdụ mmepụta nke kesara, arụmọrụ dị elu a na-asụgharị na nchekwa kwa afọ nke narị puku yuan na mfu ọkụ eletrik maka ndị ọrụ.
3. Akpaaka Ụlọ Ọrụ: Ndị na-agbanwe ugboro ugboro na-eji ihe ndị dị sentimita iri na abụọ na-egosi arụmọrụ dị mma na robot ụlọ ọrụ mmepụta ihe, ngwaọrụ igwe CNC, na akụrụngwa ndị ọzọ. Àgwà mgbanwe ugboro ugboro ha na-eme ka ọsọ nzaghachi moto dịkwuo mma site na 30% ebe ha na-ebelata nnyonye anya elektrọnik ruo otu ụzọ n'ụzọ atọ nke ngwọta ọdịnala.
4. Mmepụta Ngwa Eletrọniki Ndị Ahịa: Teknụzụ ekwentị ọhụrụ nke na-eji ngwa ngwa chaja ngwa ngwa amalitela iji ihe ndị dị na SiC nke dị sentimita iri na abụọ. A na-atụ anya na ngwaahịa ndị na-eji ngwa ngwa chaja karịa 65W ga-agbanwe kpamkpam gaa na ngwọta silicon carbide, yana ihe ndị dị sentimita iri na abụọ na-apụta dị ka nhọrọ kacha mma maka arụmọrụ ọnụ ahịa.

Ọrụ ahaziri ahazi nke XKH maka Substrate SiC nke inch 12

Iji mezuo ihe achọrọ maka ihe ndị dị na SiC nke dị sentimita iri na abụọ (ihe ndị dị na silicon carbide nke dị sentimita iri na abụọ), XKH na-enye nkwado ọrụ zuru oke:
1. Nhazi ọkpụrụkpụ:
Anyị na-enye ihe ndị dị sentimita iri na abụọ n'ụdị dị iche iche, gụnyere 725μm iji mezuo mkpa ngwa dị iche iche.
2. Ịta ọgwụ mgbochi ọrịa:
Mmepụta anyị na-akwado ọtụtụ ụdị conductivity gụnyere ụdị n-type na ụdị p, yana njikwa resistive ziri ezi n'etiti 0.01-0.02Ω·cm.
3. Ọrụ Nnwale:
Site na ngwa nnwale zuru oke nke ọkwa wafer, anyị na-enye akụkọ nyocha zuru oke.
XKH ghọtara na onye ahịa ọ bụla nwere ihe pụrụ iche achọrọ maka ihe ndị dị na SiC nke dị sentimita iri na abụọ. Ya mere, anyị na-enye ụdị mmekorita azụmaahịa na-agbanwe agbanwe iji nye azịza kachasị asọmpi, ma ọ bụ maka:
· Ihe nlele R&D
· Ịzụta mmepụta olu
Ọrụ anyị ahaziri ahazi na-eme ka anyị nwee ike igbo mkpa teknụzụ na mmepụta gị maka ihe ndị dị na SiC nke dị sentimita iri na abụọ.