Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N ụdị Dummy/prime grade ọkpụrụkpụ nwere ike ahaziri
Njirimara
Ọkwa: Ọkwa mmepụta (Dummy/Prime)
Nha: dayameta 6-inch
Dayameta: 150.25mm ± 0.25mm
Ọkpụrụkpụ:> 10mm (ọkpụrụkpụ a na-agbanwe agbanwe dị mgbe a rịọrọ ya)
Ntuzi ihu ihu: 4 ° kwupụta <11-20> ± 0.2°, nke na-eme ka ịdị mma kristal dị elu na nhazi ziri ezi maka imepụta ngwaọrụ.
Nhazi Flat nke izizi: <1-100> ± 5°, njirimara bụ isi maka mbelata nke ingot nke ọma na wafers yana maka uto kristal kacha mma.
Ogologo Flat nke Mbụ: 47.5mm ± 1.5mm, emebere maka njikwa dị mfe na nkenke nkenke.
Resistivity: 0.015-0.0285 Ω·cm, dị mma maka ngwa na ngwaọrụ ike dị elu.
Njupụta Micropipe: <0.5, n'ịhụ obere ntụpọ nwere ike imetụta arụmọrụ nke ngwaọrụ arụpụtara.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, ọnụ ahịa dị ala nke na-egosi ịdị ọcha kristal dị elu na njupụta ntụpọ dị ala.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, na-eme ka iguzosi ike n'ezi ihe dị mma maka ngwaọrụ dị elu.
Mpaghara Polytype: Ọ dịghị onye - ingot enweghị ntụpọ polytype, na-enye ihe dị mma maka ngwa dị elu.
Edge Indents: <3, nke nwere obosara na omimi 1mm, na-eme ka mmebi elu dị ntakịrị na idowe iguzosi ike n'ezi ihe nke ingot maka slicing wafer dị mma.
Ihe mgbawa Edge: 3, <1mm nke ọ bụla, na-enwe obere mmebi nke mmebi ihu, na-eme ka njikwa nchekwa na nhazi ọzọ.
Mbukota: Akpa Wafer – A na-akwakọba ihe ingot SiC na nchekwa na akpa wafer iji hụ na njem na njikwa adịghị mma.
Ngwa
Igwe eletrọnịkị ike:A na-eji 6-inch SiC ingot nke ukwuu na-emepụta ngwaọrụ eletrọnịkị ike dị ka MOSFET, IGBT, na diodes, bụ ihe ndị dị mkpa na sistemụ ntụgharị ike. A na-eji ngwaọrụ ndị a n'ọtụtụ ebe na igwe ọkụ eletrik (EV) inverters, moto ụlọ ọrụ mmepụta ihe, ọkụ ọkụ, na sistemụ nchekwa ike. Ikike SiC iji rụọ ọrụ na voltaji dị elu, nnukwu frequencies, na oke okpomọkụ na-eme ka ọ dị mma maka ngwa ebe ngwaọrụ silicon (Si) ọdịnala ga-agbasi mbọ ike ịrụ ọrụ nke ọma.
Ụgbọ ala eletrik (EV):N'ime ụgbọ ala eletrik, ihe ndị sitere na SiC dị oke mkpa maka mmepe nke modul ike na inverters, ndị na-atụgharị DC-DC, na chaja nọ n'elu osisi. Igwe ọkụ ọkụ dị elu nke SiC na-enye ohere maka ibelata okpomọkụ ọkụ na ịrụ ọrụ ka mma na ntụgharị ike, nke dị mkpa maka ịkwalite arụmọrụ na ịnya ụgbọ ala eletrik. Na mgbakwunye, ngwaọrụ SiC na-eme ka ihe ndị dị ntakịrị, dị mfe na nke a pụrụ ịdabere na ya, na-enye aka na arụmọrụ nke sistemu EV.
Usoro ume ọhụrụ:Ingots SiC bụ ihe dị mkpa na mmepe nke ngwaọrụ ntụgharị ike ejiri na sistemu ike mmeghari ohuru, gụnyere ihe ntụgharị anyanwụ, ikuku ikuku, na ngwọta nchekwa ike. Ikike njikwa ike dị elu nke SiC na njikwa ọkụ dị mma na-enye ohere maka ngbanwe ike dị elu yana ntụkwasị obi ka mma na sistemụ ndị a. Ojiji ya na ike mmeghari ohuru na-enyere aka ịkwalite mbọ zuru ụwa ọnụ maka nkwado ike.
Nzikọrịta ozi:Ingot SiC nke anụ ọhịa 6 dabara adaba maka imepụta akụrụngwa ejiri na ngwa RF dị elu (ugboro redio). Ndị a na-agụnye amplifiers, oscillators, na ihe nzacha ndị a na-eji na ekwentị na usoro nkwukọrịta satịlaịtị. Ikike nke SiC ijikwa ugboro ugboro na ike dị elu na-eme ka ọ bụrụ ihe magburu onwe ya maka ngwaọrụ mgbasa ozi na-achọ ịrụ ọrụ siri ike na obere mgbama na-efu.
Aerospace na nchekwa:SiC's high breakdown voltaji na iguzogide oke okpomọkụ na-eme ka ọ dị mma maka ikuku ikuku na ngwa nchekwa. A na-eji ihe ndị sitere na ingots SiC mee ihe na sistemụ radar, nkwukọrịta satịlaịtị, na ngwa elektrọnik maka ụgbọ elu na ụgbọ elu. Ihe ndị dabeere na SiC na-eme ka usoro ikuku ikuku rụọ ọrụ n'okpuru ọnọdụ dị oke egwu zutere na mbara igwe na ebe dị elu.
Akpaaka ụlọ ọrụ:Na akpaaka ụlọ ọrụ, a na-eji ihe ndị SiC eme ihe na sensọ, ndị na-eme ihe, na sistemu njikwa kwesịrị ịrụ ọrụ na gburugburu ebe siri ike. A na-eji ngwaọrụ ndị dabeere na SiC n'ọrụ na igwe nke chọrọ ịrụ ọrụ nke ọma, ihe na-adịte aka nke nwere ike iguzogide okpomọkụ dị elu na nrụgide eletrik.
Tebụl nkọwapụta ngwaahịa
Ngwongwo | Nkọwapụta |
Ọkwa | Mmepụta (Dummy/Prime) |
Nha | 6-anụ ọhịa |
Dayameta | 150.25mm ± 0.25mm |
Ọkpụrụkpụ | > 10mm (nwere ike ịhazi ya) |
Ntuzi ihu ihu | 4° kwupụta <11-20> ± 0.2° |
Nhazi Flat nke izizi | <1-100> ± 5° |
Ogologo Flat nke izizi | 47.5mm ± 1.5mm |
Nguzogide | 0.015–0.0285 Ω·cm |
Njupụta Micropipe | <0.5 |
Njupụta Boron Pitting (BPD) | <2000 |
Njupụta njupụta nke eriri eriri (TSD) | <500 |
Mpaghara Polytype | Ọ dịghị |
Ọnụ ego Edge | <3, 1mm obosara na omimi |
Ọnụ mgbawa | 3, <1mm/e |
Nkwakọ ngwaahịa | Akpa wafer |
Mmechi
SiC Ingot nke anụ ọhịa isii - N-ụdị Dummy/Prime grade bụ ihe dị oke ọnụ nke na-emezu ihe siri ike nke ụlọ ọrụ semiconductor. Igwe ọkụ ya dị elu, ihe mgbochi pụrụ iche, na njupụta dị ala na-eme ka ọ bụrụ nhọrọ magburu onwe ya maka imepụta ngwaọrụ eletrọnịkị ike dị elu, akụrụngwa ụgbọ ala, sistemụ nkwukọrịta, na sistemụ ume ọhụrụ. Ọkpụrụkpụ a na-agbanwe agbanwe na nkọwa ziri ezi na-eme ka a hụ na enwere ike ịhazi SiC ingot ka ọ bụrụ ngwa dị iche iche, na-ahụ na arụmọrụ dị elu na ntụkwasị obi na gburugburu ebe chọrọ. Maka ozi ndị ọzọ ma ọ bụ ịnye iwu, biko kpọtụrụ ndị na-ere ahịa anyị.