Ngwaahịa ọhụrụ nke ụdị P-ụdị SiC bụ Dia2inch
A na-ejikarị ihe ndị e ji silicon carbide mee emepụta ngwaọrụ ike, dịka Insulate-Gate Bipolar transistors (IGBTs).
IGBT= MOSFET+BJT, nke bụ mgba ọkụ na-apụ apụ. MOSFET=IGFET (tube mmetụta ubi semiconductor metal oxide, ma ọ bụ transistor mmetụta ubi ụdị ọnụ ụzọ a na-ekpuchighị ekpuchi). BJT (Bipolar Junction Transistor, nke a makwaara dị ka transistor), bipolar pụtara na e nwere ụdị elektrọn na oghere abụọ na-ebu ibu na usoro nhazi n'ọrụ, n'ozuzu enwere njikọ PN metụtara na nhazi.
Wafer silicon carbide (SiC) nke dị sentimita 2 n'ụdị p dị na ụdị 4H ma ọ bụ 6H. O nwere ihe ndị yiri ya na wafer silicon carbide (SiC) nke ụdị n-ụdị, dị ka iguzogide okpomọkụ dị elu, njikwa okpomọkụ dị elu, na njikwa eletriki dị elu. A na-ejikarị ihe ndị dị na SiC nke ụdị p eme ihe n'ịmepụta ngwaọrụ ike, karịsịa maka imepụta transistor bipolar nke a na-etinyeghị mkpuchi (IGBTs). Nhazi nke IGBTs na-agụnyekarị njikọ PN, ebe ụdị p SiC bara uru maka ijikwa omume nke ngwaọrụ ahụ.
Ihe osise zuru ezu
