N-Ụdị SiC na Si Composite Substrates Dia6inch
| 等级Ọkwa | Ị | P级 | D级 |
| Ọkwa BPD dị ala | Ọkwa Mmepụta | Akara Dọmị | |
| 直径Dayameta | 150.0 mm±0.25mm | ||
| 厚度Ọkpụrụkpụ | 500 μm±25μm | ||
| 晶片方向Nhazi Wafer | Axis gbapụrụ agbapụ: 4.0° gaa < 11-20 > ±0.5° maka 4H-N N'axis: <0001>±0.5° maka 4H-SI | ||
| 主定位边方向Ụlọ Elu Mbụ | {10-10}±5.0° | ||
| 主定位边长度Ogologo Dị larịị nke Mbụ | 47.5 mm±2.5 mm | ||
| 边缘Mwepu akụkụ | 3 mm | ||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | ||
| 微管密度和基面位错MPD na BPD | MPD≤1 cm-2 | MPD≤5 cm-2 | MPD≤15 cm-2 |
| BPD≤1000cm-2 | |||
| 电阻率Nguzogide | ≥1E5 Ω·cm | ||
| 表面粗糙度Isi ike | Polish Ra≤1 nm | ||
| CMP Ra≤0.5 nm | |||
| 裂纹(强光灯观测) # | Ọ dịghị | Ogologo mkpokọta ≤10mm, otu ogologo ≤2mm | |
| Mgbawa site na ìhè dị elu | |||
| 六方空洞（强光灯观测）* | Mpaghara mkpokọta ≤1% | Mpaghara mkpokọta ≤5% | |
| Efere Hex site na ìhè dị elu | |||
| 多型(强光灯观测)* | Ọ dịghị | Mpaghara mkpokọta ≤5% | |
| Ebe Polytype site na ìhè dị elu | |||
| 划痕(强光灯观测)*& | Mkpọka atọ ruo 1 × dayameta wafer | Mkpọcha ise ruo 1 × dayameta wafer | |
| Ọkpụkpọ site na ìhè dị elu | ogologo mkpokọta | ogologo mkpokọta | |
| 崩边# Chip Edge | Ọ dịghị | 5 e kwere, ≤1 mm nke ọ bụla | |
| 表面污染物（强光灯观测） | Ọ dịghị | ||
| Mmetọ site na ìhè dị elu | |||
Ihe osise zuru ezu
