N-ụdị SiC Composite Substrates Dia6inch monocrystaline dị elu yana mkpụrụ dị ala dị ala.
N-Ụdị SiC Ngwakọta Ngwakọta Ihe Tebụl Nkịtị nkịtị
项目Ihe | 指标Nkọwapụta | 项目Ihe | 指标Nkọwapụta |
直径Dayameta | 150± 0.2mm | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 N'ihu (Si-face) adịghị ike | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
晶型Ụdị poly | 4H | Edge Chip, Scratch, Crack (nlele anya) | Ọ dịghị |
电阻率Nguzogide | 0.015-0.025ohm · cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
Nyefee oyi akwa Ọkpụrụkpụ | ≥0.4μm | 翘曲度Warp | ≤35μm |
空洞Ihe efu | ≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm) | 总厚度Ọkpụrụkpụ | 350± 25μm |
Aha "N-ụdị" na-ezo aka n'ụdị doping ejiri na ngwa SiC. Na semiconductor physics, doping gụnyere ụma webata adịghị ọcha n'ime semiconductor iji gbanwee ihe ọkụ eletrik ya. N-ụdị doping na-ewebata ihe ndị na-enye oke eletrọn n'efu, na-enye ihe ahụ nleba anya na-ebu ibu na-adịghị mma.
Uru nke N-ụdị SiC composite substrates gụnyere:
1. Ịrụ ọrụ okpomọkụ dị elu: SiC nwere ikike ikuku dị elu ma nwee ike ịrụ ọrụ na okpomọkụ dị elu, na-eme ka ọ dị mma maka ngwa eletrik dị elu na nke dị elu.
2. Voltage mgbawa dị elu: Ihe ndị SiC nwere nnukwu mgbawa ọkụ, na-eme ka ha nwee ike iguzogide ọkụ eletrik dị elu na-enweghị nkwụsị eletrik.
3. Chemical na gburugburu ebe obibi: SiC na-eguzogide ọgwụ ma nwee ike iguzogide ọnọdụ gburugburu ebe obibi siri ike, na-eme ka ọ dị mma maka iji ngwa ngwa.
4. Mbelata ike ọnwụ: E jiri ya tụnyere ihe ndị dabeere na silicon omenala, ihe ndị SiC na-eme ka ntụgharị ike dịkwuo mma ma belata ọnwụ ọkụ na ngwaọrụ eletrọnịkị.
5. Wide bandgap: SiC nwere nnukwu bandgap, na-enye ohere ịmepụta ngwaọrụ eletrọnịkị nke nwere ike ịrụ ọrụ na okpomọkụ dị elu na njupụta ike dị elu.
N'ozuzu, ụdị N-ụdị SiC composite substrates na-enye uru dị ukwuu maka mmepe nke ngwaọrụ eletrọnịkị na-arụ ọrụ dị elu, karịsịa na ngwa ebe ọrụ okpomọkụ dị elu, njupụta ike dị elu, na ntụgharị ike dị mma dị oke mkpa.