N-Type SiC Composite Substrates Dia6inch Monocrystaline dị elu na obere ihe nchekwa dị ala
N-Ụdị N-Ụdị SiC Ngwakọta Tebụl paramita nkịtị
| 项目ihe | 指标Nkọwapụta | 项目ihe | 指标Nkọwapụta |
| 直径Dayameta | 150±0.2mm | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Ọdịdị ihu (Si-ihu) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Ụdị Polytype | 4H | Mkpọchi Edge, Mkpọchi, Mkpọchi (nlele anya) | Ọ dịghị |
| 电阻率Nguzogide | 0.015-0.025ohm ·cm | 总厚度变化TV | ≤3μm |
| Ọkpụrụkpụ oyi akwa mbufe | ≥0.4μm | 翘曲度Warp | ≤35μm |
| 空洞Enweghị ihe efu | ≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm) | 总厚度Ọkpụrụkpụ | 350±25μm |
Aha "ụdị N" na-ezo aka n'ụdị doping eji eme ihe na ihe SiC. Na physics semiconductor, doping gụnyere itinye ihe ndị na-adịghị mma n'ime semiconductor iji gbanwee ihe onwunwe eletriki ya. Doping ụdị N na-ewebata ihe ndị na-enye oke elektrọn efu, na-enye ihe ahụ ohere ibuli ihe na-ebu chaja na-adịghị mma.
Uru nke ihe mejupụtara ihe mejupụtara N-type SiC gụnyere:
1. Arụmọrụ okpomọkụ dị elu: SiC nwere ike ịrụ ọrụ na okpomọkụ dị elu, nke na-eme ka ọ dabara adaba maka ngwa eletrọniki dị elu na nke dị elu.
2. Voltaji dị elu nke na-emebi emebi: Ihe SiC nwere voltaji dị elu nke na-emebi emebi, nke na-eme ka ha nwee ike iguzogide oke ọkụ eletrik na-enweghị mmebi eletrik.
3. Mgbochi kemịkalụ na gburugburu ebe obibi: SiC na-eguzogide kemịkalụ ma nwee ike iguzogide ọnọdụ gburugburu ebe obibi siri ike, na-eme ka ọ dị mma maka iji ya na ngwa ndị siri ike.
4. Mbelata mfu ike: Ma e jiri ya tụnyere ihe ndị e ji silicon mee, ihe ndị e ji SiC mee na-eme ka mgbanwe ike dịkwuo mma ma belata mfu ike na ngwaọrụ eletrọnịkị.
5. Oghere sara mbara: SiC nwere oghere sara mbara, na-enye ohere ịmepụta ngwaọrụ eletrọnịkị nwere ike ịrụ ọrụ na okpomọkụ dị elu na njupụta ike dị elu.
N'ozuzu, ihe ndị mejupụtara SiC nke ụdị N na-enye uru dị ukwuu maka mmepe nke ngwaọrụ eletrọnịkị dị elu, ọkachasị na ngwa ebe ọrụ okpomọkụ dị elu, njupụta ike dị elu, na mgbanwe ike dị irè dị oke mkpa.