GaN-on-SiC Epitaxial Wafers ahaziri ahazi (100mm, 150mm) - Nhọrọ Nhọrọ SiC Ọtụtụ (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Nkọwa dị mkpirikpi:

Anyị ahaziri GaN-on-SiC Epitaxial Wafers na-enye arụmọrụ dị elu maka ike dị elu, ngwa dị elu site na ijikọta ihe pụrụ iche nke Gallium Nitride (GaN) na njikwa ọkụ siri ike na ike arụ ọrụ.Silicon Carbide (SiC). Dị na 100mm na 150mm wafer nha, a na-ewu wafers ndị a n'ọtụtụ nhọrọ mkpụrụ nke SiC, gụnyere 4H-N, HPSI, na 4H / 6H-P ụdị, ahaziri iji mezuo ihe achọrọ maka ngwa eletriki eletriki, RF amplifiers, na ngwaọrụ ndị ọzọ dị elu semiconductor. Site na akwa akwa epitaxial nwere ike ịhazi ya na mkpụrụ SiC pụrụ iche, a na-emepụta wafers anyị iji hụ na arụmọrụ dị elu, njikwa ọkụ, na ntụkwasị obi maka ngwa ụlọ ọrụ na-achọ.

Zitere anyị email

Nkọwa ngwaahịa

Mkpado ngwaahịa

Atụmatụ

● Epitaxial Layer ọkpụrụkpụ: customizable si1.0 µmka3.5 µm, kachasị maka ike dị elu na arụmọrụ ugboro ugboro.

●SiC Substrate Nhọrọ: Dị na ụdị SiC dị iche iche, gụnyere:

4H-N: Nitrogen-doped 4H-SiC dị elu maka ngwa ngwa dị elu, ike dị elu.
HPSI: Semi-Insulating SiC dị ọcha maka ngwa chọrọ ikewapụ ọkụ eletrik.
4H/6H-P: Ngwakọta 4H na 6H-SiC maka nguzozi nke arụmọrụ dị elu na ntụkwasị obi.

●Nha Wafer: Dị na100mmna150mmdayameta maka ntụgharị na nhazi ngwaọrụ na ntinye.

● Voltaji na-emebi emebi: GaN na teknụzụ SiC na-enye voltaji mmebi dị elu, na-eme ka arụmọrụ siri ike na ngwa ike dị elu.

● High thermal conductivity: SiC si n'akparamagwa thermal conductivity (ihe dị ka 490 W/m·K) na-eme ka ikpochapụ ọkụ dị mma maka ngwa ngwa ike.

Nkọwa nka nka

Oke	Uru
Dayameta Wafer	100mm, 150mm
Epitaxial oyi akwa	1.0 µm - 3.5 µm (nwere ike ịhazi ya)
Ụdị mkpụrụ osisi SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
SiC Thermal Conductivity	490 W/m·K
SiC Resistivity	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Semi-insulating,4H/6H-P: agwakọta 4H/6H
GaN Layer ọkpụrụkpụ	1.0 µm - 2.0 µm
GaN Carrier Concentration	10^18 cm^-3 ruo 10^19 cm^-3 (nwere ike ịhazi ya)
Ogo elu wafer	RMS dị nro: <1 nm
Njupụta nke Dislocation	<1 x 10^6 cm^-2
Wafer ụta	<50 µm
Wafer flatness	<5 µm
Okpomọkụ arụ ọrụ kacha	400°C (nke a na-ahụkarị maka ngwaọrụ GaN-on-SiC)

Ngwa

● Igwe ọkụ eletrik:GaN-on-SiC wafers na-enye arụmọrụ dị elu na ikpo ọkụ ọkụ, na-eme ka ha dị mma maka ndị na-amụba ike, ngwaọrụ ntụgharị ike, na sekit-inverter na-eji ụgbọ ala eletrik, usoro ume ọhụrụ, na ígwè ọrụ mmepụta ihe.
● RF Ike Amplifiers:Nchikota nke GaN na SiC zuru oke maka ngwa ngwa RF dị elu dị elu dị ka nkwukọrịta, nkwukọrịta satịlaịtị, na sistemụ radar.
●Aerospace na nchekwa:Wafers ndị a dabara adaba maka ikuku ikuku na teknụzụ nchekwa na-achọ ngwa elektrọnik na sistemụ nkwukọrịta nwere ike ịrụ ọrụ n'okpuru ọnọdụ siri ike.
● Ngwa ụgbọ ala:Kwesịrị ekwesị maka sistemu ike na-arụ ọrụ dị elu na ụgbọ ala eletrik (EV), ụgbọ ala ngwakọ (HEVs), na ọdụ ụgbọ mmiri, na-eme ka ngbanwe na njikwa ike dị mma.
● Ndị agha na usoro radar:A na-eji wafers GaN-on-SiC na sistemụ radar maka arụmọrụ dị elu ha, ikike njikwa ike, yana arụmọrụ ọkụ na gburugburu ebe na-achọsi ike.
● Ngwa Microwave na Millimeter-Wave:Maka sistemụ nkwurịta okwu ọgbọ na-abịa, gụnyere 5G, GaN-on-SiC na-enye arụmọrụ kachasị mma na ngwa ngwa ike dị elu na oke milimita.

Ajụjụ & A

Q1: Kedu uru dị na iji SiC dị ka mkpụrụ maka GaN?

A1:Silicon Carbide (SiC) na-enye conductivity okpomọkụ dị elu, voltaji ndakpọ dị elu, na ike arụ ọrụ ma e jiri ya tụnyere ihe ọdịnala ọdịnala dị ka silicon. Nke a na-eme GaN-on-SiC wafers dị mma maka ngwa ike dị elu, ugboro dị elu na okpomọkụ dị elu. Ihe ntinye SiC na-enyere aka igbasa okpomọkụ nke ngwaọrụ GaN na-emepụta, na-eme ka ntụkwasị obi na ịrụ ọrụ dịkwuo mma.

Q2: Enwere ike ịhazi oke oyi akwa epitaxial maka ngwa dị iche iche?

A2:Ee, enwere ike ịhazi ọkpụrụkpụ oyi akwa epitaxial n'ime oke1.0µm ruo 3.5µm, dabere na ike na ugboro ole achọrọ nke ngwa gị. Anyị nwere ike ịhazi ọkpụrụkpụ oyi akwa GaN ka ebuli arụmọrụ maka ngwaọrụ ndị akọwapụtara dị ka igwe amplifiers, sistemu RF, ma ọ bụ sekit ugboro dị elu.

Q3: Kedu ihe dị iche n'etiti 4H-N, HPSI, na 4H/6H-P SiC substrates?

A3:

4H-N: Nitrogen-doped 4H-SiC na-ejikarị eme ihe maka ngwa ngwa dị elu nke chọrọ ịrụ ọrụ eletrik dị elu.
HPSI: Semi-Insulating SiC dị ọcha na-enye ikewapụ eletriki, dị mma maka ngwa ndị chọrọ obere ọkụ eletrik.
4H/6H-P: Ngwakọta nke 4H na 6H-SiC nke na-edozi arụmọrụ, na-enye nchikota nke arụmọrụ dị elu na ike siri ike, dị mma maka ngwa ngwa eletrik dị iche iche.

Q4: Ndị a GaN-on-SiC wafers dabara maka ngwa ike dị elu dị ka ụgbọ ala eletrik na ike mmeghari ohuru?

A4:Ee, GaN-on-SiC wafers dabara nke ọma maka ngwa ike dị elu dị ka ụgbọ ala eletrik, ike mmeghari ohuru, na sistemụ mmepụta ihe. Voltaji mgbawa dị elu, ikuku ọkụ dị elu, na ike njikwa ike nke ngwaọrụ GaN-on-SiC na-enyere ha aka ịrụ ọrụ nke ọma n'ịchọ ntụgharị ike na njikwa sekit.

Q5: Gịnị bụ ahụkarị dislocation njupụta maka ndị a wafers?

A5:Njupụta nbibi nke wafers GaN-on-SiC ndị a na-abụkarị<1 x 10^6 cm^-2, nke na-eme ka ọganihu epitaxial dị elu dị elu, na-ebelata ntụpọ ma melite arụmọrụ ngwaọrụ na ntụkwasị obi.

Q6: Enwere m ike ịrịọ otu wafer nha ma ọ bụ ụdị mkpụrụ SiC?

A6:Ee, anyị na-enye nha wafer ahaziri ahazi (100mm na 150mm) na ụdị mkpụrụ osisi SiC (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P) iji gboo mkpa ụfọdụ nke ngwa gị. Biko kpọtụrụ anyị maka nhọrọ nhazi ọzọ yana iji kparịta ihe ị chọrọ.

Q7: Kedu ka wafers GaN-on-SiC si arụ ọrụ na gburugburu ebe dị oke egwu?

A7:GaN-on-SiC wafers dị mma maka gburugburu ebe dị oke egwu n'ihi nkwụsi ike ha dị elu, njikwa ike dị elu, na ikike ikpo ọkụ dị mma. Wafers ndị a na-arụ ọrụ nke ọma na ọnọdụ okpomọkụ dị elu, ike dị elu na nke dị elu na-ezutekarị na mbara igwe, nchekwa, na ngwa mmepụta ihe.

Mmechi

Anyị ahaziri GaN-on-SiC Epitaxial Wafers na-ejikọta akụrụngwa dị elu nke GaN na SiC iji nye arụmọrụ dị elu na ngwa ike dị elu na nke dị elu. Na ọtụtụ nhọrọ mkpụrụ SiC na akwa epitaxial nwere ike ịhazi ya, wafers ndị a dị mma maka ụlọ ọrụ na-achọ arụmọrụ dị elu, njikwa ọkụ na ntụkwasị obi. Ma maka ngwa eletrọnịkị ike, sistemụ RF, ma ọ bụ ngwa nchekwa, wafers GaN-on-SiC na-enye arụmọrụ na mgbanwe ị chọrọ.