Wafers Epitaxial GaN-on-SiC ahaziri ahazi (100mm, 150mm) – Nhọrọ Substrate SiC dị iche iche (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
atụmatụ
●Ọkpụrụkpụ nke akwa epitaxial: Enwere ike ịhazi ya site na1.0 µmna3.5 µm, nke kachasị mma maka arụmọrụ ike dị elu na ugboro ugboro.
●Nhọrọ Substrate SiC: Dị na ọtụtụ ihe ndị dị na SiC, gụnyere:
- 4H-N: 4H-SiC nke nwere Nitrogen dị elu maka ojiji ugboro ugboro na ike dị elu.
- HPSI: SiC dị ọcha nke na-eme ka ihe ghara ịdị ọcha nke ọma maka ngwa ndị chọrọ ikewapụ eletriki.
- 4H/6H-P: Ngwakọta 4H na 6H-SiC maka nguzozi nke arụmọrụ dị elu na ntụkwasị obi.
●Nha Wafer: Dị na100mmna150mmdayameta maka ọtụtụ ihe dị iche iche na nhazi na njikọta ngwaọrụ.
● Voltaji dị elu nke na-emebi emebi: GaN na teknụzụ SiC na-enye voltaji mgbawa dị elu, na-eme ka arụmọrụ siri ike na ngwa ike dị elu.
●Ọnọdụ okpomọkụ dị elu: Nhazi okpomọkụ nke SiC (ihe dị ka 490 W/m·K) na-eme ka okpomọkụ dị mma maka ojiji ike dị ukwuu.
Nkọwapụta Nkà na ụzụ
| Paramita | Uru |
| Dayameta Wafer | 100mm, 150mm |
| Ọkpụrụkpụ nke Epitaxial Layer | 1.0 µm – 3.5 µm (enwere ike ịhazi ya) |
| Ụdị ihe ndị dị na SiC | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| Ọgbakọ okpomọkụ SiC | 490 W/m·K |
| Nguzogide SiC | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Ihe mkpuchi ọkara,4H/6H-P: Ngwakọta 4H/6H |
| Ọkpụrụkpụ nke GaN Layer | 1.0 µm – 2.0 µm |
| Ntinye Aka nke GaN Carrier | 10^18 cm^-3 ruo 10^19 cm^-3 (enwere ike ịhazi ya) |
| Ogo Elu Wafer | RMS siri ike: < 1 nm |
| Njupụta nke mgbakasị ahụ | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Ụta Wafer | < 50 µm |
| Mkpụmkpụ Wafer | < 5 µm |
| Okpomọkụ Ọrụ Kachasị Elu | 400°C (ihe a na-ahụkarị maka ngwaọrụ GaN-on-SiC) |
Ngwa
●Electrọniki Ike:Wafers GaN-on-SiC na-enye arụmọrụ dị elu na mwepụ okpomọkụ, na-eme ka ha dị mma maka amplifiers ike, ngwaọrụ mgbanwe ike, na sekit inverter ike eji eme ihe n'ụgbọala eletrik, sistemụ ike mmeghari ohuru, na igwe ụlọ ọrụ mmepụta ihe.
●Ndị na-eme ka ike RF dịkwuo elu:Njikọta nke GaN na SiC zuru oke maka ngwa RF dị elu, nke nwere ike dị elu dịka nkwukọrịta, nkwukọrịta satịlaịtị, na sistemụ radar.
●Ọdụ ụgbọelu na Nchebe:Wafer ndị a dabara adaba maka teknụzụ ikuku na nchekwa nke chọrọ ngwa eletrọniki ike dị elu na sistemụ nkwukọrịta nke nwere ike ịrụ ọrụ n'ọnọdụ siri ike.
● Ngwa ụgbọala:Ọ dị mma maka sistemụ ike dị elu n'ụgbọala eletriki (EV), ụgbọala ngwakọ (HEV), na ebe a na-achaji ọkụ, na-eme ka mgbanwe na njikwa ike dị irè.
●Usoro Ndị Agha na Rada:A na-eji wafer GaN-on-SiC eme ihe na sistemụ radar maka arụmọrụ dị elu ha, ikike ijikwa ike, na arụmọrụ okpomọkụ n'ebe siri ike.
● Ngwa Ngwa Maka Ngwa Ngwa Maka Igwe Okpomọkụ na Millimeta:Maka sistemụ nkwukọrịta ọgbọ na-abịa, gụnyere 5G, GaN-on-SiC na-enye arụmọrụ kachasị mma na oke microwave ike dị elu na oke ebili mmiri milimita.
Ajụjụ na Azịza
Q1: Kedu uru dị na iji SiC dị ka ihe ndabere maka GaN?
A1:Silicon Carbide (SiC) na-enye ike okpomọkụ dị elu, voltaji mgbawa dị elu, na ike igwe ma e jiri ya tụnyere ihe ndị e ji eme ihe dịka silicon. Nke a na-eme ka wafer GaN-on-SiC dị mma maka ojiji ike dị elu, ugboro ugboro, na okpomọkụ dị elu. Ihe e ji mee SiC na-enyere aka iwepụ okpomọkụ nke ngwaọrụ GaN na-emepụta, na-eme ka ntụkwasị obi na arụmọrụ ka mma.
Q2: Enwere ike ịhazi ọkpụrụkpụ oyi akwa epitaxial maka ngwa ụfọdụ?
A2:Ee, enwere ike ịhazi ọkpụrụkpụ oyi akwa epitaxial n'ime ọtụtụ1.0 µm ruo 3.5 µm, dabere na ihe achọrọ maka ike na ugboro ole nke ngwa gị. Anyị nwere ike ịhazi ọkpụrụkpụ oyi akwa GaN iji mee ka arụmọrụ ka mma maka ngwaọrụ ụfọdụ dịka ihe na-eme ka ike dịkwuo elu, sistemụ RF, ma ọ bụ sekit ugboro ugboro dị elu.
Q3: Kedu ihe dị iche n'etiti ihe ndị dị na 4H-N, HPSI, na 4H/6H-P SiC substrates?
A3:
- 4H-N: A na-ejikarị 4H-SiC nke nwere nitrogen doped eme ihe maka ngwa ugboro ugboro nke chọrọ arụmọrụ eletrọniki dị elu.
- HPSI: SiC dị ọcha nke na-eme ka ihe ghara ịdị ọcha nke ukwuu na-enye ikewapụ eletriki, nke dị mma maka ngwa ndị chọrọ obere ike eletrik.
- 4H/6H-P: Ngwakọta nke 4H na 6H-SiC nke na-ahazi arụmọrụ, na-enye njikọta nke arụmọrụ dị elu na ike, dabara adaba maka ngwa eletrọniki ike dị iche iche.
Q4: Wafer GaN-on-SiC ndị a hà dabara adaba maka ngwa ike dị elu dịka ụgbọala eletrik na ike mmeghari ohuru?
A4:Ee, wafers GaN-on-SiC dị mma maka ngwa ike dị elu dịka ụgbọ ala eletrik, ike mmeghari ohuru, na sistemụ ụlọ ọrụ mmepụta ihe. Voltaji dị elu, ike okpomọkụ dị elu, na ikike ijikwa ike nke ngwaọrụ GaN-on-SiC na-eme ka ha rụọ ọrụ nke ọma n'ịgbanwe ike na sekit njikwa siri ike.
Q5: Kedu ihe bụ njupụta mgbanwe nkịtị maka wafers ndị a?
A5:Njupụta nke mgbanwe nke wafers GaN-on-SiC ndị a na-abụkarị< 1 x 10^6 cm^-2, nke na-eme ka epitaxial too nke ọma, na-ebelata ntụpọ ma na-eme ka arụmọrụ na ntụkwasị obi nke ngwaọrụ dịkwuo mma.
Q6: Enwere m ike ịrịọ maka nha wafer ma ọ bụ ụdị SiC substrate?
A6:Ee, anyị na-enye nha wafer ahaziri ahazi (100mm na 150mm) na ụdị SiC substrate (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) iji mezuo mkpa kpọmkwem nke ngwa gị. Biko kpọtụrụ anyị maka nhọrọ nhazi ndị ọzọ na ịtụle ihe ị chọrọ.
Q7: Kedu ka wafer GaN-on-SiC si arụ ọrụ n'ebe dị oke njọ?
A7:Wafers GaN-on-SiC dị mma maka gburugburu ebe obibi dị oke njọ n'ihi nkwụsi ike okpomọkụ ha dị elu, njikwa ike dị elu, na ikike iwepụ okpomọkụ dị mma. Wafers ndị a na-arụ ọrụ nke ọma n'ọnọdụ okpomọkụ dị elu, ike dị elu, na ugboro ugboro a na-ahụkarị na ngwa ụgbọelu, nchekwa, na ụlọ ọrụ mmepụta ihe.
Mmechi
Wafers Epitaxial GaN-on-SiC anyị ahaziri ahazi na-ejikọta ihe ndị dị elu nke GaN na SiC iji nye arụmọrụ ka mma na ngwa ike dị elu na ugboro ugboro. Site na ọtụtụ nhọrọ SiC substrate na akwa epitaxial a na-ahazi, wafers ndị a dị mma maka ụlọ ọrụ chọrọ arụmọrụ dị elu, njikwa okpomọkụ, na ntụkwasị obi. Ma ọ bụ maka ngwa eletrọniki ike, sistemụ RF, ma ọ bụ ngwa nchekwa, wafers GaN-on-SiC anyị na-enye arụmọrụ na mgbanwe ịchọrọ.
Ihe osise zuru ezu
