2 inch SiC Wafers 6H ma ọ bụ 4H Semi-Insulating SiC Substrates Dia50.8mm

Nkọwa dị mkpirikpi:

Silicon carbide (SiC) bụ ọnụọgụ ọnụọgụ abụọ nke Group IV-IV, ọ bụ naanị ogige siri ike siri ike na Group IV nke okpokoro oge nke ihe, ọ bụ semiconductor dị mkpa. SiC nwere ezigbo thermal, igwe, kemịkalụ na eletriki, nke na-eme ka ọ bụrụ otu n'ime ihe kachasị mma maka ịme ọkụ eletrik dị elu, ugboro ugboro na ike dị elu.

Zitere anyị email

Nkọwa ngwaahịa

Mkpado ngwaahịa

Ngwa nke mkpụrụ osisi silicon carbide

Enwere ike kewaa mkpụrụ osisi silicon carbide n'ụdị conductive na ụdị mkpuchi nke ọkara dịka resistivity. A na-ejikarị ngwaọrụ silicon carbide na-arụ ọrụ n'ụgbọ ala eletrik, ọgbọ ọkụ fotovoltaic, ụgbọ okporo ígwè, ebe data, chaja na akụrụngwa ndị ọzọ. Ụlọ ọrụ ụgbọ ala eletrik nwere nnukwu ọchịchọ maka ihe ndị na-emepụta silicon carbide, na ugbu a, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng na ụlọ ọrụ ụgbọ ala ọhụrụ ndị ọzọ zubere iji silicon carbide discrete ngwaọrụ ma ọ bụ modul.

A na-eji ngwaọrụ silicon carbide nke nwere ọkara mkpuchi eme ihe na nkwukọrịta 5G, nkwukọrịta ụgbọ ala, ngwa nchekwa mba, nnyefe data, ikuku ikuku na mpaghara ndị ọzọ. Site na itolite akwa gallium nitride epitaxial oyi akwa na mkpụrụ silicon carbide nke nwere obere mkpuchi, enwere ike mebe silicon gallium nitride epitaxial wafer ka ọ bụrụ ngwaọrụ RF microwave, nke a na-ejikarị na mpaghara RF, dị ka amplifiers ike na nkwukọrịta 5G na ihe nchọpụta redio na nchekwa mba.

Imepụta ngwaahịa mkpụrụ akụ silicon carbide gụnyere mmepe akụrụngwa, njikọta akụrụngwa, uto kristal, ịkpụ kristal, nhazi wafer, nhicha na nnwale, yana ọtụtụ njikọ ndị ọzọ. N'ihe gbasara akụrụngwa, ụlọ ọrụ Songshan Boron na-enye akụrụngwa silicon carbide maka ahịa, wee nweta obere ire ere. Ihe semiconductor nke ọgbọ nke atọ nke silicon carbide nọchitere anya na-arụ ọrụ dị mkpa na ụlọ ọrụ ọgbara ọhụrụ, yana mmụba nke ntinye nke ụgbọ ala ume ọhụrụ na ngwa fotovoltaic, ọchịchọ nke mkpụrụ osisi silicon carbide na-achọ ibubata ebe ntụgharị.