Ngwa RF dị elu nke SiC nke dị sentimita iri na abụọ

Ngwa RF SiC nke dị sentimita iri na abụọ N'ụdị Nha buru ibu

Nkọwa Dị Mkpirikpi:

Ihe mkpuchi SiC nke dị sentimita iri na abụọ na-anọchite anya ọganihu dị ukwuu na teknụzụ ihe semiconductor, na-enye uru mgbanwe maka ngwa eletrọnịkị ike na ngwa ugboro ugboro dị elu. Dịka usoro wafer silicon carbide kachasị ukwuu n'ahịa ụlọ ọrụ ahụ, ihe mkpuchi SiC nke dị sentimita iri na abụọ na-enye ohere ka akụ na ụba a na-ahụtụbeghị mbụ na-aga n'ihu ebe ọ na-ejigide uru dị n'ime ihe ahụ nke njirimara bandgap sara mbara na ihe onwunwe okpomọkụ pụrụ iche. Ma e jiri ya tụnyere wafer SiC nke dị sentimita isii ma ọ bụ obere, ikpo okwu nke dị sentimita iri na abụọ na-enye ihe karịrị 300% mpaghara a na-eji eme ihe kwa wafer, na-amụba mmepụta anwụ nke ukwuu ma na-ebelata ọnụ ahịa nrụpụta maka ngwaọrụ ike. Mgbanwe nha a na-egosipụta mgbanwe akụkọ ihe mere eme nke wafer silicon, ebe mmụba dayameta ọ bụla wetara mbelata ọnụ ahịa dị ukwuu na mmezi arụmọrụ. Ike okpomọkụ dị elu nke ihe mkpuchi SiC nke dị sentimita iri na abụọ (ihe fọrọ nke nta ka ọ bụrụ 3 × nke silicon) na ike ubi mgbawa dị oke mkpa na-eme ka ọ baa uru karịsịa maka sistemụ ụgbọ ala eletrik 800V nke ọgbọ na-abịa, ebe ọ na-eme ka modulu ike dị obere ma dị irè karịa. Na akụrụngwa 5G, ọsọ saturation eletrọn dị elu nke ihe ahụ na-enye ngwaọrụ RF ohere ịrụ ọrụ na ugboro dị elu yana obere mfu. Ndakọrịta nke ihe owuwu a na ngwa mmepụta silicon emezigharịrị na-emekwa ka mma nke ihe ndị dị adị na-anabata nke ọma, mana ọ dị mkpa ijikwa ya nke ọma n'ihi oke ike SiC (9.5 Mohs). Ka olu mmepụta na-abawanye, a na-atụ anya na ihe owuwu SiC nke dị sentimita iri na abụọ ga-abụ ọkọlọtọ ụlọ ọrụ maka ngwa ike dị elu, na-akwalite ihe ọhụrụ n'ofe ụgbọ ala, ike mmeghari ohuru, na sistemụ mgbanwe ike ụlọ ọrụ.

Zitere anyị ozi-e

atụmatụ

Teknụzụ paramita

Nkọwapụta Ihe Ndabere Silicon Carbide (SiC) nke Inch 12
Ọkwa		Mmepụta ZeroMPD Ọkwa (Ọkwa Z)	Mmepụta ọkọlọtọ Klas (Ọkwa P)		Akara Dọmị (Ọkwa D)
Dayameta		30 0 mm~1305mm
Ọkpụrụkpụ	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
Nhazi Wafer		N'akụkụ axis: 4.0° gaa <1120 >±0.5° maka 4H-N, N'akụkụ axis: <0001>±0.5° maka 4H-SI
Njupụta nke paịpụ micropipe	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Nguzogide	4H-N	0.015~0.024 Ω·cm			0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Nhazi Ala Dị Elu nke Mbụ		{10-10} ±5.0°
Ogologo Dị larịị nke Mbụ	4H-N	Enweghị
	4H-SI	Ọkpụkpọ
Mwepu nke Ọnụọgụ		3 mm
LTV/TTV/Bọọlụ/Mgbawa		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Isi ike		Polish Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Mgbawa Ọkụ Site na Ọkụ Ike Dị Elu Efere Hex Site na Ìhè Dị Ike Ebe Polytype Site na Ọkụ Dị Ike Ihe Ndị A Na-ahụ Anya Banyere Carbon Ọkpụkpọ Elu Silikọn Site na Ìhè Dị Ike		Ọ dịghị Mpaghara mkpokọta ≤0.05% Ọ dịghị Mpaghara mkpokọta ≤0.05% Ọ dịghị			Ogologo mkpokọta ≤ 20 mm, otu ogologo ≤ 2 mm Mpaghara mkpokọta ≤0.1% Mpaghara mkpokọta≤3% Mpaghara mkpokọta ≤3% Ogologo mkpokọta ≤ 1 × dayameta wafer
Iberibe Edge site na High Intensity Light		Ọ dịghị nke a nabatara ≥0.2mm obosara na omimi			7 enyere ikike, ≤1 mm nke ọ bụla
(TSD) Mwepụ nke skru eriri		≤500 cm-2		Enweghị
Nkwụsị nke ọdụ elu (BPD)		≤1000 cm-2		Enweghị
Mmetọ Elu Silikọn Site na Ìhè Dị Ike		Ọ dịghị
Nkwakọ ngwaahịa		Kaseti nwere ọtụtụ wafer ma ọ bụ otu wafer akpa
Ihe ndị e dere:
1 Oke ntụpọ dị na elu wafer dum ma e wezụga mpaghara mwepụ nke nsọtụ. 2A ga-enyocha ihe ndị ahụ n'ihu Si naanị. 3 Data mwepụ ahụ sitere na naanị wafers e tinyere na KOH.

Isi Atụmatụ

1. Uru Nha Ukwuu: Ihe mkpuchi SiC nke dị sentimita iri na abụọ (ihe mkpuchi silicon carbide nke dị sentimita iri na abụọ) na-enye nnukwu mpaghara otu wafer, na-eme ka e nwee ike ịmepụta ọtụtụ chips kwa wafer, si otú a na-ebelata ọnụ ahịa mmepụta ma na-amụba mmepụta.
2. Ihe Arụmọrụ Dị Elu: Ike iguzogide okpomọkụ dị elu na ike mgbawa dị elu nke silicon carbide na-eme ka ihe dị n'ime inch iri na abụọ dị mma maka ngwa voltaji dị elu na ugboro ugboro, dịka inverters EV na sistemụ chaja ngwa ngwa.
3. Ndakọrịta Nhazi: N'agbanyeghị nnukwu ihe ịma aka siri ike na nhazi nke SiC, ihe mkpuchi SiC nke dị sentimita iri na abụọ na-enweta obere ntụpọ elu site na usoro ịkpụ na ịcha mma, na-eme ka mmepụta ngwaọrụ ka mma.
4. Njikwa Okpomọkụ Ka Mma: Site na njikwa okpomọkụ ka mma karịa ihe ndị e ji silicon mee, ihe dị sentimita iri na abụọ nke substrate na-edozi mwepụ okpomọkụ nke ọma na ngwaọrụ ndị nwere ike dị elu, na-agbatị ndụ akụrụngwa.

Ngwa Ndị Isi

1. Ụgbọala Eletriki: Ihe mkpuchi SiC nke dị sentimita iri na abụọ (ihe mkpuchi silicon carbide nke dị sentimita iri na abụọ) bụ isi ihe dị na sistemụ draịva eletrik nke ọgbọ na-abịa, na-eme ka inverters dị elu nke na-eme ka ohere dịkwuo elu ma belata oge ịchaji.

2. Ọdụ Isi 5G: Ihe ndị dị na SiC buru ibu na-akwado ngwaọrụ RF ugboro ugboro, na-emezu ihe achọrọ nke ọdụ isi 5G maka ike dị elu na obere mfu.

3.Inye Ike Ụlọ Ọrụ: Na inverters anyanwụ na grid smart, substrate nke dị sentimita iri na abụọ nwere ike iguzogide voltaji dị elu ma belata mfu ike.

4. Eletrọniki Ndị Ahịa: Chaja ngwa ngwa n'ọdịnihu na ihe ndị na-enye ike ebe nchekwa data nwere ike iji ihe ndị dị na SiC nke dị sentimita iri na abụọ iji nweta nha dị obere na arụmọrụ ka mma.

Ọrụ XKH

Anyị bụ ọkachamara n'ọrụ nhazi ahaziri maka ihe ndị dị na SiC nke dị sentimita iri na abụọ (ihe ndị dị na silicon carbide nke dị sentimita iri na abụọ), gụnyere:
1. Ịkpụcha na Ịchacha: Nhazi substrate dị obere, nke dị larịị nke e mere ka ọ dabara na ihe ndị ahịa chọrọ, na-eme ka ngwaọrụ ahụ rụọ ọrụ nke ọma.
2. Nkwado maka uto Epitaxial: Ọrụ wafer epitaxial dị elu iji mee ka mmepụta chip dị ngwa ngwa.
3. Nhazi obere ogbe: Na-akwado nkwenye nyocha na mmepe maka ụlọ ọrụ nyocha na ụlọ ọrụ, na-ebelata usoro mmepe.
4. Ndụmọdụ Nkà na ụzụ: Ngwọta site na njedebe ruo na njedebe site na nhọrọ ihe ruo na nhazi usoro, na-enyere ndị ahịa aka imeri ihe ịma aka nhazi SiC.
Ma ọ bụ maka mmepụta ihe dị ukwuu ma ọ bụ nhazi pụrụ iche, ọrụ SiC substrate anyị nke dị sentimita iri na abụọ kwekọrọ na mkpa ọrụ gị, na-eme ka ọganihu teknụzụ dịkwuo ike.